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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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LR230ATM-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: LR230ATM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、LR230ATM-VB 产品简介
LR230ATM-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用先进的沟槽(Trench)技术设计,旨在满足高电压和中等功率应用的需求。该器件的最大漏源电压(VDS)为200V,能够承受高达200V的电压,适合于电力电子应用。其栅源电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为3V,导通电阻(RDS(ON))为245mΩ@VGS=10V,最大漏极电流(ID)为10A。LR230ATM-VB 的TO252封装小巧,散热性能良好,非常适合用于紧凑型电路设计,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电机控制等领域。

### 二、LR230ATM-VB 参数说明
1. **封装类型**: TO252
  - 提供良好的散热性能,并适用于多种电路板设计,能够有效降低工作温度。

2. **沟道类型**: 单N沟道 (Single-N-Channel)
  - 适合用于高效电流控制和开关应用。

3. **漏源电压 (VDS)**: 200V
  - 能够处理最大200V的电压,适合高电压的电力电子应用。

4. **栅源电压 (VGS)**: ±20V
  - 最大栅极驱动电压,确保MOSFET的稳定工作和高效切换。

5. **阈值电压 (Vth)**: 3V
  - 使MOSFET导通所需的最小栅极电压,适合中低电压驱动电路。

6. **导通电阻 (RDS(ON))**: 245mΩ @ VGS=10V
  - 较低的导通电阻帮助降低功耗,提高系统效率,适合高频开关应用。

7. **漏极电流 (ID)**: 10A
  - 最大连续漏极电流为10A,适合中等功率应用。

8. **技术**: 沟槽 (Trench)
  - 采用先进的沟槽技术,提供更好的电流处理能力和较低的导通电阻,优化开关性能。

### 三、应用领域及模块举例
1. **开关电源 (SMPS)**
  LR230ATM-VB 在开关模式电源(SMPS)中得到广泛应用,尤其是在需要高效率和高功率密度的场合。它的低导通电阻能够有效减少功耗,并增强转换效率,保证设备在高负载情况下稳定运行。

2. **DC-DC 转换器**
  在多种DC-DC转换器中,LR230ATM-VB 可以作为开关元件,处理高达200V的输入电压,适用于电池管理系统和电源模块,提供高效的电能转换和输出稳定性。

3. **电机驱动**
  LR230ATM-VB 适合用于电机控制和驱动应用,特别是对中等功率的直流电机和步进电机的控制,其最大电流能力为10A,可以满足高效驱动的需求。

4. **负载开关与保护电路**
  此MOSFET 还可用于负载开关应用,在负载管理中提供高效电源切换,利用其低导通电阻特性,提升保护电路的性能,确保在过流或短路情况下保护系统的安全性和可靠性。

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