企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

LR220ATM-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: LR220ATM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### LR220ATM-VB MOSFET 产品简介

LR220ATM-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用TO252封装,专为高电压和中等电流应用设计。这款MOSFET的漏源极电压(VDS)可达到200V,适合用于高电压环境的开关电路。其栅极驱动电压范围为±20V,确保在多种电源条件下稳定工作。LR220ATM-VB 的阈值电压(Vth)为3V,导通电阻(RDS(ON) = 245mΩ @ VGS = 10V)适中,使其在高效能量传输和开关应用中表现优异。采用沟槽技术,LR220ATM-VB 具备出色的导电性能和低功耗特性,是电力电子领域的理想选择。

### LR220ATM-VB MOSFET 详细参数说明

| 参数名称         | 数值                           |
|------------------|--------------------------------|
| 封装类型         | TO252                          |
| MOSFET配置       | 单N沟道                        |
| 漏源极电压 (VDS) | 200V                           |
| 栅极电压 (VGS)   | ±20V                           |
| 阈值电压 (Vth)   | 3V                             |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 245mΩ @ VGS = 10V             |
| 连续漏极电流 (ID) | 10A                            |
| 技术              | 沟槽 (Trench) 技术             |

### 应用领域和模块示例

1. **电源转换器**  
  LR220ATM-VB 在电源转换器中表现出色,尤其适合用于AC-DC和DC-DC转换器。其高电压额定值和适中的导通电阻使其能够在高电压条件下高效转换电能,降低功耗并提高系统的可靠性。

2. **工业设备**  
  在工业自动化领域,LR220ATM-VB 可用作电机驱动和控制模块。其耐高电压特性和相对高的电流承载能力使其能够满足工业设备中电机启动和运行时的要求,提供可靠的电源控制。

3. **电池管理系统**  
  LR220ATM-VB 也适用于电池管理系统,尤其是在高压电池组的充电和放电过程中。其稳定的电流处理能力能够确保系统在高电压环境下安全运行,减少能量损失并延长电池的使用寿命。

4. **照明控制**  
  该MOSFET 可用于照明控制模块,特别是在高功率LED驱动电路中。通过控制LED的电流,LR220ATM-VB 能够实现高效的照明调节,确保系统在高电压和高功率环境中的稳定性和效率。

LR220ATM-VB 的设计和性能使其成为多个领域的理想选择,特别是在需要高电压和高效能量管理的应用中。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    114浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    104浏览量