--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 200V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### LR220ATM-VB MOSFET 产品简介
LR220ATM-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用TO252封装,专为高电压和中等电流应用设计。这款MOSFET的漏源极电压(VDS)可达到200V,适合用于高电压环境的开关电路。其栅极驱动电压范围为±20V,确保在多种电源条件下稳定工作。LR220ATM-VB 的阈值电压(Vth)为3V,导通电阻(RDS(ON) = 245mΩ @ VGS = 10V)适中,使其在高效能量传输和开关应用中表现优异。采用沟槽技术,LR220ATM-VB 具备出色的导电性能和低功耗特性,是电力电子领域的理想选择。
### LR220ATM-VB MOSFET 详细参数说明
| 参数名称 | 数值 |
|------------------|--------------------------------|
| 封装类型 | TO252 |
| MOSFET配置 | 单N沟道 |
| 漏源极电压 (VDS) | 200V |
| 栅极电压 (VGS) | ±20V |
| 阈值电压 (Vth) | 3V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 245mΩ @ VGS = 10V |
| 连续漏极电流 (ID) | 10A |
| 技术 | 沟槽 (Trench) 技术 |
### 应用领域和模块示例
1. **电源转换器**
LR220ATM-VB 在电源转换器中表现出色,尤其适合用于AC-DC和DC-DC转换器。其高电压额定值和适中的导通电阻使其能够在高电压条件下高效转换电能,降低功耗并提高系统的可靠性。
2. **工业设备**
在工业自动化领域,LR220ATM-VB 可用作电机驱动和控制模块。其耐高电压特性和相对高的电流承载能力使其能够满足工业设备中电机启动和运行时的要求,提供可靠的电源控制。
3. **电池管理系统**
LR220ATM-VB 也适用于电池管理系统,尤其是在高压电池组的充电和放电过程中。其稳定的电流处理能力能够确保系统在高电压环境下安全运行,减少能量损失并延长电池的使用寿命。
4. **照明控制**
该MOSFET 可用于照明控制模块,特别是在高功率LED驱动电路中。通过控制LED的电流,LR220ATM-VB 能够实现高效的照明调节,确保系统在高电压和高功率环境中的稳定性和效率。
LR220ATM-VB 的设计和性能使其成为多个领域的理想选择,特别是在需要高电压和高效能量管理的应用中。
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