--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 200V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 850mΩ@VGS=10V
- ID 5A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、LR210ATF-VB产品简介
LR210ATF-VB是一款采用Trench技术的单N沟道MOSFET,封装形式为TO252。该器件设计用于高电压应用,具有高达200V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS)承受能力。凭借其850mΩ的导通电阻(RDS(ON) @ VGS=10V)和5A的连续漏极电流能力,LR210ATF-VB在提供高效能的同时,能够处理较大的电压和电流需求。该MOSFET适用于需要高电压、低功耗和高可靠性的电源管理和驱动应用,特别是在工业和电力电子领域。
### 二、LR210ATF-VB详细参数说明
- **器件类型**: N沟道MOSFET
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单一N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 200V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 850mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 5A
- **技术类型**: Trench
- **工作温度范围**: -55°C 至 +175°C
- **功耗 (Ptot)**: 50W
### 三、适用领域和模块举例
1. **电源管理**
- LR210ATF-VB的高压能力使其非常适合用于电源管理系统,特别是在AC-DC转换器和高压直流电源中。它可以作为主开关或同步整流器使用,提供高效的能量转换,减少开关损耗,从而提高整体系统效率。
2. **工业控制**
- 在工业自动化和控制系统中,LR210ATF-VB可以用于电机驱动和变频器应用。其能够承受高电压的特点使其适合用于控制大功率设备,如泵、风扇和传动装置,提高系统的可靠性和性能。
3. **通信设备**
- 在通信基础设施中,如基站和信号放大器,LR210ATF-VB可以作为高压功率放大器的开关元件,确保信号的稳定传输并减少能量损耗。这对于确保系统的高效运行和长期稳定性至关重要。
4. **消费电子**
- LR210ATF-VB也可应用于高功率消费电子设备,例如电动工具和家用电器。这些设备通常需要高压和高电流的处理能力,LR210ATF-VB能够有效支持这些需求,提升设备的性能和用户体验。
通过其卓越的性能和广泛的应用领域,LR210ATF-VB在现代电力电子设备中扮演着重要的角色,成为满足高效能和高可靠性需求的理想选择。
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