### LR120-VB 产品简介
LR120-VB 是一款高效能的单N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为中等电压和电流应用设计。其最高漏源极耐压为100V，适合在各种电源管理和开关应用中使用。该MOSFET的阈值电压为1.8V，具有较低的导通电阻（114mΩ @ VGS=10V），能够有效降低能量损耗，提高系统的整体效率。采用先进的沟槽（Trench）技术，LR120-VB 在高频开关条件下表现出色，适合用于高性能电源模块及其他电子设备。
### LR120-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **沟道配置**: 单N沟道
- **漏源极耐压 (VDS)**: 100V
- **栅源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 15A
- **技术类型**: 沟槽（Trench）技术
### 应用领域及模块举例
1. **DC-DC转换器**
LR120-VB 在DC-DC转换器中具有优异的性能，尤其适用于中低压应用。由于其低导通电阻和高电流能力，该MOSFET 能够有效地减少功耗，从而提升整体转换效率。常见的应用包括移动设备的充电器和小型电源模块。
2. **开关电源 (SMPS)**
在开关电源设计中，LR120-VB 适合用于小型和中型负载的电源管理。其高耐压和低功耗特性使其成为理想的开关元件，广泛应用于计算机电源、工业电源和家用电器等领域，能够帮助提高电源效率并降低热损耗。
3. **电池管理系统 (BMS)**
该MOSFET 在电池管理系统中也表现良好，可用于控制充电与放电路径。LR120-VB 的低导通电阻与高电流承载能力非常适合用于电动车和储能系统，确保能量传递的高效与安全。
4. **逆变器与整流器**
在逆变器和整流器中，LR120-VB 可作为功率开关，提升转换效率。其高耐压性能使其适用于太阳能逆变器和电力转换设备，有助于在高负载条件下维持稳定的性能表现，为可再生能源系统和工业电力设备提供有效支持。
