--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
- ID 15A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**产品简介(LR110A-VB)**
LR110A-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO252封装,设计用于需要高电压和中等电流的应用。凭借其低导通电阻和高耐压能力,该MOSFET特别适合于电源管理和电机驱动等高效能应用。其基于先进的沟槽(Trench)技术,不仅确保了优异的开关性能,还大幅降低了功耗。
**详细参数说明**
- **封装**:TO252
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压(VDS)**:100V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **开启电压(Vth)**:1.8V
- **导通电阻(RDS(ON))**:114mΩ@VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**:15A
- **技术类型**:Trench(沟槽技术)
**应用领域与模块举例**
1. **电源管理系统**:LR110A-VB适用于直流-直流转换器(DC-DC Converter)和电源分配网络(PDN)。其高电压(100V)和低导通电阻(114mΩ)使其在电源管理模块中表现出色,能够有效提高系统效率,减少能量损失,尤其是在电源适配器和充电器中应用广泛。
2. **电动工具**:该MOSFET的中等电流处理能力(15A)使其非常适合用于电动工具,如电钻、锯等。它能够承受高峰值电流,确保工具在高负载下的稳定运行,同时减少发热,提高设备的安全性和可靠性。
3. **汽车电子**:在汽车电子系统中,LR110A-VB可用于车载电源管理和电机控制,如电动窗、电动座椅等。其高电压和良好的开关特性使其能够满足汽车应用中的严苛要求,确保可靠性和耐用性。
4. **工业自动化**:该MOSFET在工业控制系统中也有广泛的应用,包括电机驱动、传感器供电和数据采集系统等。其能够承受高电压和电流,使得在各种工业设备中能够实现高效能的功率控制。
LR110A-VB凭借其卓越的电性能和适应性,在多个高要求的应用领域中都有着广阔的应用前景,能够为客户提供可靠的解决方案。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12