### 产品简介：
LR110ATM-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用先进的沟槽（Trench）技术，封装在TO252型封装中。该MOSFET具有较高的最大漏源电压（VDS）为100V，适用于要求较高电压的应用场合。它的栅源电压（VGS）范围为±20V，开启电压（Vth）为1.8V。在栅源电压为10V时，其导通电阻（RDS(ON)）为114mΩ，支持最大漏极电流（ID）为15A。这使得LR110ATM-VB在高效开关应用中表现出色，适合于各种电子设备和系统中。
### 详细参数说明：
- **封装类型**: TO252
- **极性**: N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 100V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **开启电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 15A
- **技术**: 沟槽（Trench）
### 应用领域及模块：
1. **开关电源（SMPS）**：LR110ATM-VB的高电压和低导通电阻使其在开关电源模块中表现优异，能够有效地提高电源转换效率，减少能量损耗，广泛应用于消费电子产品和工业电源系统。
2. **LED驱动电路**：该MOSFET的性能特点使其非常适合用于LED驱动电路，能够稳定驱动高功率LED，实现高效的照明解决方案，尤其在户外和商用照明中有广泛应用。
3. **电池管理系统（BMS）**：在电池管理应用中，LR110ATM-VB能够在充放电过程中有效控制电流，保证电池安全与效率，是电动车和储能系统中不可或缺的组件。
4. **电机控制**：该器件适用于各种电机控制应用，包括无刷直流电机（BLDC）驱动，能够在控制电流和电压方面提供高效能，确保电机的可靠性与稳定性。
5. **功率开关**：LR110ATM-VB可用作高功率负载开关，适合各种电子设备和系统中的开关应用，能够承受15A的电流，为系统提供安全和可靠的开关控制。
