--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
- ID 18A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### LR024Z-VB MOSFET 产品简介
LR024Z-VB 是一款单极N通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用TO252封装,设计用于高效能电力应用。该器件的漏源电压为60V,栅源电压范围为±20V,适用于各种电源管理和转换场合。LR024Z-VB 的开启阈值电压为1.7V,确保其在较低的电压下也能够快速开启。其导通电阻(RDS(ON))在栅极电压为4.5V时为85mΩ,而在10V时降至73mΩ,表现出优良的导通性能,极大地降低了功耗,使其成为高效电源解决方案的理想选择。
### LR024Z-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **极性配置**: 单N通道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **开启阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 85mΩ @ VGS=4.5V
- 73mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 18A
- **技术类型**: Trench技术
- **应用温度范围**: 适应广泛的工作环境,具有良好的热稳定性。
### LR024Z-VB 的应用领域及模块
1. **电源管理系统**:LR024Z-VB 的低导通电阻和相对较高的漏极电流使其非常适合用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。它在这些应用中能够显著降低能量损耗,提高电源的整体效率,尤其适用于对功率损耗敏感的设备。
2. **消费电子产品**:由于其优越的性能,该MOSFET可用于消费电子产品中的电源管理模块,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的充电器。这种产品要求在小型化的同时提供高效的电源转换。
3. **电机驱动**:LR024Z-VB 适用于电机驱动应用,如电动工具和家用电器。其能够承受高电流,并在较低的功耗下高效运行,适合无刷直流电机(BLDC)和其他电机控制系统。
4. **汽车电子**:在汽车电子系统中,该MOSFET 可以用于电池管理系统(BMS)、车载充电器和电源分配模块,保证系统的高效能与可靠性,特别是在电动和混合动力汽车中。
LR024Z-VB 以其高性能和多功能性,成为高效电源解决方案中不可或缺的器件,广泛应用于多个领域的电源管理与转换模块。
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