**产品简介**
LNG10R180-VB 是一款采用 TO252 封装的单N沟道功率MOSFET，具有较高的耐压和低导通电阻。该器件的漏源电压（VDS）为100V，栅源电压（VGS）为±20V，导通阈值电压（Vth）为1.8V，导通电阻（RDS(ON)）在VGS=10V时为18mΩ，最大漏极电流（ID）可达45A。它采用了先进的沟槽（Trench）技术，具备高效的电流处理能力和低开关损耗，是高性能电源管理应用的理想选择。
**详细参数说明**
1. **封装类型**：TO252
2. **器件配置**：单N沟道
3. **漏源电压（VDS）**：100V
4. **栅源电压（VGS）**：±20V
5. **导通阈值电压（Vth）**：1.8V
6. **导通电阻（RDS(ON)）**：18mΩ（在VGS=10V时）
7. **最大漏极电流（ID）**：45A
8. **技术类型**：沟槽（Trench）技术
9. **热阻**：根据产品文档提供的热特性参数
10. **开关速度**：适用于高频切换，具体参数取决于应用电路设计
11. **工作温度范围**：常见为-55°C至150°C，具体需参照产品规格书
**应用领域与模块举例**
LNG10R180-VB MOSFET 适用于各种需要高效功率转换和电流控制的领域，常见的应用场景包括：
1. **DC-DC转换器**：该MOSFET可用于降压和升压DC-DC转换器，尤其是在汽车电子和便携式设备中，高效率的功率管理要求低导通电阻以减少功率损耗。
2. **电机驱动**：在无刷直流电机（BLDC）和步进电机的控制中，该器件能够在高电流和电压应用中提供可靠的驱动。
3. **电源管理模块（PMM）**：在服务器、数据中心和高性能计算设备的电源模块中，LNG10R180-VB 可用于优化电源分配，提高系统整体效率。
4. **光伏逆变器**：在太阳能发电系统中，MOSFET 用于逆变器部分的开关控制，具备高速开关能力的LNG10R180-VB适合用于处理来自太阳能电池板的能量转换。
5. **电池管理系统（BMS）**：尤其是在电动汽车（EV）和储能系统中，该MOSFET可以用于电池的充电与放电管理，确保电池组在不同电压范围内的安全高效工作。
此款MOSFET 的多功能性和优越的电性能使其在这些领域中具有广泛的应用前景。
