### LNG04R075-VB 产品简介
**LNG04R075-VB** 是一款采用TO252封装的高性能单N通道MOSFET，专为要求高电流和低导通电阻的应用而设计。其漏源电压（VDS）为40V，栅源电压（VGS）为±20V，阈值电压（Vth）为2.5V，确保在中低电压下快速开关和稳定运行。该器件在VGS为4.5V时的导通电阻为6mΩ，VGS为10V时为5mΩ，能够在大电流负载下有效降低功率损耗。最高漏极电流（ID）为85A，LNG04R075-VB 采用Trench技术，优化了导通电阻和开关性能，非常适合在功率密集型应用中实现高效能。
### 详细参数说明
- **封装**：TO252
- **配置**：单N通道MOSFET
- **漏源电压（VDS）**：40V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：2.5V
- **RDS(ON) @ VGS = 4.5V**：6mΩ
- **RDS(ON) @ VGS = 10V**：5mΩ
- **漏电流（ID）**：85A
- **技术**：Trench技术
### 适用领域和模块的示例
1. **消费电子设备中的电源管理**：
LNG04R075-VB 非常适合用于**智能手机、笔记本电脑和游戏机**等消费电子产品中的电源管理系统。其低导通电阻和高电流承载能力可以显著提升设备的电源效率，减少能量损耗并延长电池寿命。
2. **电池保护电路**：
在**锂离子电池保护电路**中，该MOSFET可以用于**电动工具、便携式设备**等场景，确保电池在高电流放电时的安全运行。其优异的开关性能和低损耗使其能够提供高效的电流控制，延长电池的使用寿命。
3. **汽车电子**：
LNG04R075-VB 适用于**汽车电子系统**中的**电动座椅、电动窗和车灯控制**等模块。其高电流能力和耐压特性，确保汽车电路的稳定性和安全性，尤其适用于低压大电流的控制场景。
4. **DC-DC转换器**：
该MOSFET在**DC-DC转换器**中表现出色，适合用于电源模块中的高效能转换应用。其低导通电阻和高速开关能力使其能够在转换器中减少热损耗，提升整体效率。
### 总结
**LNG04R075-VB** 以其40V的耐压、85A的高电流承载能力、以及低至5mΩ的导通电阻，适合各种需要高效电源管理的应用场景。无论是消费电子、电池管理、汽车电子还是DC-DC转换器，该器件都能够提供高效、可靠的解决方案。
