企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

LNG04R035B-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: LNG04R035B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 1.6mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### LNG04R035B-VB MOSFET 产品简介
LNG04R035B-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N-channel MOSFET,设计用于高电流和低导通电阻要求的应用场景。该器件的最大漏源电压 (VDS) 为 40V,连续漏极电流 (ID) 为 120A,具有非常低的导通电阻,在 VGS = 10V 时的 RDS(ON) 仅为 1.6mΩ。这款 MOSFET 使用先进的 Trench 技术制造,具备高效的开关性能,非常适合用于需要高效功率转换和低损耗的应用中。

### LNG04R035B-VB 的详细参数
- **封装**:TO252
- **配置**:单 N-channel
- **VDS(漏极-源极电压)**:40V
- **VGS(门极-源极电压)**:±20V
- **Vth(门阈值电压)**:3V
- **RDS(ON)(导通电阻)**:
 - 3mΩ @ VGS = 4.5V
 - 1.6mΩ @ VGS = 10V
- **ID(连续漏极电流)**:120A
- **技术**:Trench

### LNG04R035B-VB 在不同领域和模块中的应用示例
1. **电池管理系统 (BMS)**:LNG04R035B-VB 非常适合电动汽车和其他储能设备中的电池管理系统。其低导通电阻可以减少电能传输过程中的能量损耗,从而延长电池的使用寿命和提高系统效率。

2. **电动工具和工业设备**:该 MOSFET 的高电流处理能力使其在电动工具和工业驱动器中有着广泛的应用,例如用于控制大功率电动机和其他负载,确保工具和设备在高负载情况下的稳定运行。

3. **DC-DC 电源转换器**:LNG04R035B-VB 适用于低压、高电流的 DC-DC 电源转换器。在需要快速切换和高效能量转换的电路中,LNG04R035B-VB 通过其低 RDS(ON) 和高开关速度,能够减少功耗并提高整体电源效率。

4. **汽车电子系统**:在车载电子设备中,这款 MOSFET 适用于电源管理和驱动电路,例如用于控制车载照明、空调压缩机和电动助力转向等系统。其高电流承载能力和稳定的开关性能非常适合汽车环境中的苛刻条件。

通过这些应用场景,LNG04R035B-VB 提供了广泛的解决方案,帮助实现现代电子系统对高效能、低功耗和高可靠性的需求。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    124浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    105浏览量