企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

L1N06CG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: L1N06CG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介:L1N06CG-VB

L1N06CG-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 沟道功率 MOSFET,具有 60V 的漏源极电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源极电压 (VGS) 限制。其栅极阈值电压 (Vth) 为 1.7V,使得该器件能在较低的驱动电压下启动。L1N06CG-VB 采用先进的 Trench 技术,提供较低的导通电阻,分别为 85mΩ@VGS=4.5V 和 73mΩ@VGS=10V,能够支持 18A 的最大漏极电流 (ID)。该器件特别适用于开关电源、电动工具和其他要求高效功率转换的场景。

---

### 详细参数说明:

- **封装类型**: TO252  
- **沟道配置**: 单 N 沟道 MOSFET  
- **漏源极电压 (VDS)**: 60V  
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V  
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V  
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 
 - 85mΩ @ VGS=4.5V  
 - 73mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏极电流 (ID)**: 18A  
- **技术**: Trench  
- **击穿电压 (BVDSS)**: 60V  
- **总栅电荷 (Qg)**: 15nC (典型)  
- **开关速度**: 高速开关应用  
- **功耗 (Ptot)**: 最大 30W  
- **热阻 (RθJC)**: 50°C/W  
- **结温范围 (Tj)**: -55°C 至 150°C  

---

### 应用领域和模块:

1. **开关电源**: L1N06CG-VB 由于其低导通电阻和高电流处理能力,在 DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器中表现优异,尤其适用于要求高效能的开关电源设计。

2. **电动工具**: 该 MOSFET 适用于电动工具的驱动电路,能够处理较大的电流需求,并且具有良好的热性能,确保设备在高负载下稳定运行。

3. **电动机控制**: L1N06CG-VB 可用作电动机的控制开关器件,广泛应用于各种小型电机驱动场景,包括机器人、电动车等,实现高效驱动和控制。

4. **充电器与电池管理系统**: 该器件在智能充电器与电池管理系统中也非常实用,帮助控制充放电过程,延长电池使用寿命,适用于便携式设备和电动工具的电源管理。

5. **LED 驱动器**: 在高功率 LED 驱动电路中,L1N06CG-VB 可以提供稳定的电流控制,确保 LED 的效率和亮度,适合各种照明应用。

L1N06CG-VB 拥有较高的电流处理能力和低导通电阻,适用于多个电子应用中的高效开关和控制。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    122浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    105浏览量