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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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KU310N10D-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: KU310N10D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 30mΩ@VGS=10V
  • ID 40A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、KU310N10D-VB 产品简介

KU310N10D-VB 是一款高性能单通道 N 型 MOSFET,采用 TO252 封装,专为高电压和高电流应用设计。凭借其先进的沟槽(Trench)技术,该 MOSFET 在低导通电阻和良好的热性能方面表现出色,适合用于各种电源管理系统。其最大漏源电压(VDS)可达到 100V,最大漏极电流(ID)为 40A,使其在电气负载较高的应用中表现优异。KU310N10D-VB 的阈值电压(Vth)为 1.8V,使其能够在相对较低的电压下正常工作,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器及其他电源管理系统中。

### 二、KU310N10D-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO252  
- **通道配置**: 单通道 N 型  
- **漏源电压 (VDS)**: 100V  
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V  
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V  
- **导通电阻 (RDS(ON))**:  
 - 35mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 30mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏极电流 (ID)**: 40A  
- **技术类型**: 沟槽技术 (Trench)  
- **功率损耗 (Ptot)**: 根据工作条件和散热设计而定  
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C  
- **静态电流 (IDSS)**: 低漏电流,确保高效率  

### 三、KU310N10D-VB 应用领域与模块说明

1. **开关电源**  
  KU310N10D-VB 广泛应用于各种开关电源(SMPS)设计中,因其能够承受高电压和大电流,有效提高电源转换效率,降低能量损耗,使其成为电源管理系统中的关键组件。

2. **DC-DC 转换器**  
  该 MOSFET 适用于 DC-DC 转换器中,能够提供高效的电压转换和稳压功能。常见于消费电子、工业控制及电动工具等领域,确保系统的稳定性和可靠性。

3. **电池管理系统**  
  在锂电池和其他可充电电池管理系统中,KU310N10D-VB 的高电流处理能力和低导通电阻确保了充电和放电过程的安全性,广泛应用于电动车和移动电源等产品中,保护电池不受过流和过压的损害。

4. **电动机驱动**  
  KU310N10D-VB 还适用于电动机驱动电路,能够有效控制电动机的启动和运行,适合于家用电器和工业自动化设备中的应用,确保电动机高效运行。

总结来说,KU310N10D-VB 以其卓越的电气性能和广泛的适用性,成为高电压和高电流应用中的理想选择,能够有效提升系统的整体效率和可靠性。

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