--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 700mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### KP8N60D-VB 产品简介:
**KP8N60D-VB** 是一款高性能的单N通道MOSFET,采用TO252封装,专为高压和中等电流应用设计。其**漏极-源极电压(VDS)**高达**650V**,使其非常适合用于高压电源、开关电源和电机驱动等应用中。该器件的**栅源电压(VGS)**可达到±30V,确保在不同操作条件下的可靠性。**阈值电压(Vth)**为3.5V,使得器件在适当的栅压下能够快速开启。凭借其700mΩ的低导通电阻和7A的电流承载能力,KP8N60D-VB 能够满足现代电子设计对高效能和高可靠性的需求。
### 详细参数说明:
- **封装**:TO252
- **配置**:单N通道MOSFET
- **漏极-源极电压(VDS)**:650V
- **栅源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **RDS(ON) @ VGS = 10V**:700mΩ
- **漏电流(ID)**:7A
- **技术**:SJ_Multi-EPI
### 适用领域和模块的示例:
1. **高压电源管理**:
KP8N60D-VB 特别适用于**高压开关电源(SMPS)**和**DC-DC转换器**。由于其650V的高耐压特性,使得该MOSFET能够高效地进行电力转换,广泛应用于工业电源、服务器电源和电源适配器等领域,以提高整体电源系统的性能和稳定性。
2. **电机驱动**:
该MOSFET 可用于**直流电机和步进电机驱动**,尤其是在需要高电压的驱动应用中。KP8N60D-VB 的7A电流能力能够满足电机在启动和运行时的需求,广泛应用于电动车辆、电动工具和自动化设备等领域,提高电机控制的可靠性和效率。
3. **照明控制**:
KP8N60D-VB 也可以应用于**LED驱动电路**,尤其是在高功率LED照明设备中。其低导通电阻(700mΩ @ VGS=10V)能够减少功率损耗,提高LED的驱动效率,适用于商业照明、道路照明和家居照明等领域,确保光源的稳定和高亮度输出。
4. **家用电器**:
此MOSFET 在**家用电器**的电源管理中同样发挥重要作用。其高耐压特性和可靠性使其适合于洗衣机、空调、微波炉等家电的电源控制,确保设备的安全运行和性能稳定。
综上所述,KP8N60D-VB MOSFET 在高压和中等电流的应用中表现出色,是现代电子设计和高效电源解决方案的重要组成部分。
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