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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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KIA100N03-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: KIA100N03-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### KIA100N03-VB MOSFET 产品简介

KIA100N03-VB是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET,设计用于低电压和高电流的应用场景。该器件封装在TO-252封装中,具有出色的导电性能和低导通电阻,特别适合高效的电流开关应用。KIA100N03-VB的漏源电压(VDS)为30V,栅源电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V。其在VGS=4.5V时的导通电阻(RDS(ON))为3mΩ,而在VGS=10V时为2mΩ。该器件的连续漏电流(ID)可达100A,适合高电流、高频率的开关操作,非常适用于电源管理和低压电路的应用。

### 详细参数说明

- **封装**: TO-252,适用于空间有限且需要良好散热的应用。
- **配置**: 单极N通道,适合电流开关和控制应用。
- **漏源电压 (VDS)**: 30V,适用于低电压电源管理和驱动应用。
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V,确保其在高栅极驱动电压下的可靠运行。
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V,保证在低栅驱动电压下也能可靠开启。
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 在VGS=4.5V时为3mΩ,在VGS=10V时为2mΩ,具有超低导通电阻,适合高效的电流传输。
- **连续漏电流 (ID)**: 100A,适合高电流密度的应用场景。
- **技术**: Trench,提供低导通电阻和高效的功率处理能力。

### 应用领域和模块

1. **低压电源管理**:  
  KIA100N03-VB MOSFET非常适合低压电源转换器、DC-DC转换器和稳压器等应用。在这些应用中,该MOSFET能够处理大电流负载,同时其低导通电阻确保了能效的最大化。其30V的漏源电压适合12V或24V电源系统的管理。

2. **电动工具和小型电机驱动**:  
  由于其支持高达100A的漏电流,KIA100N03-VB MOSFET可用于驱动小型电动工具、无刷直流电动机(BLDC)和其他小型电机。在这些应用中,该MOSFET能够提供高效的开关性能,确保电机启动和运行时的功率稳定性。

3. **电池保护电路**:  
  该MOSFET在电池管理系统(BMS)中表现出色,尤其是应用于低电压大电流的锂离子电池保护电路。它能够有效控制大电流充放电,确保电池的安全性和寿命。

4. **汽车电子**:  
  KIA100N03-VB适用于汽车电子领域的低压应用,如汽车照明控制、风扇电机驱动和其他低压电力分配模块。其高电流能力和低导通电阻使其非常适合汽车12V或24V系统中的电源和控制应用。

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