**一、K973-VB产品简介：**
K973-VB是一款高效能的单通道N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为中等电压和高电流应用设计。该器件的最大漏源电压（VDS）为60V，栅源电压（VGS）为±20V，阈值电压（Vth）为1.7V。在栅源电压为4.5V和10V的条件下，其导通电阻（RDS(ON)）分别为85mΩ和73mΩ，最大漏极电流（ID）为18A。K973-VB采用Trench技术，具备优秀的开关特性和热性能，非常适合用于高频和高效率的电源管理应用。
**二、K973-VB详细参数说明：**
1. **封装类型**：TO252
2. **配置**：单N沟道
3. **最大漏源电压（VDS）**：60V
4. **栅源电压（VGS）**：±20V
5. **阈值电压（Vth）**：1.7V
6. **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 85mΩ @ VGS=4.5V
- 73mΩ @ VGS=10V
7. **最大漏极电流（ID）**：18A
8. **最大功耗（Ptot）**：45W
9. **工作温度范围**：-55°C至150°C
10. **技术**：Trench技术，适合高频和高效应用
11. **最大脉冲漏极电流（IDM）**：30A
**三、应用领域和模块：**
1. **DC-DC转换器**：K973-VB非常适用于DC-DC转换器中，特别是在降压转换器和升压转换器电路中。其低导通电阻和高电流承载能力能够提高能效，降低热损耗。
2. **电源管理系统**：在电源管理模块中，该MOSFET可用于开关电源（SMPS）、适配器和电池充电器等应用。其高效的开关特性和良好的热性能使其能够满足现代电子设备对高效能和小型化的要求。
3. **电动汽车**：K973-VB在电动汽车及其充电系统中也得到了广泛应用。由于其高电流和耐压性能，该MOSFET可以在电机驱动和电池管理系统中实现高效的能量传输和转换。
4. **LED驱动电路**：该MOSFET适用于LED照明应用，包括LED驱动电路和智能照明系统。通过对LED进行高效控制，K973-VB能够提高照明系统的能效和可靠性。
K973-VB凭借其卓越的电气性能和广泛的应用适用性，成为现代电源管理和高效能系统中的理想选择，满足各类高频和高效应用的需求。
