--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 250V
- VGS 20(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 176mΩ@VGS=10V
- ID 17A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、K8P25DA-VB 产品简介
K8P25DA-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 沟道功率 MOSFET,专为高电压和中等电流应用设计。该器件的漏源击穿电压(VDS)为 250V,支持最大 ±20V 的栅极驱动电压(VGS),开启电压(Vth)为 3.5V。其导通电阻(RDS(ON))在 VGS=10V 时为 176mΩ,额定漏极电流(ID)为 17A。K8P25DA-VB 采用 Trench 技术,具有较低的导通损耗和优异的热管理性能,非常适合用于高效的电源开关和电流控制应用。
### 二、K8P25DA-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **沟道配置**: 单 N 沟道
- **漏源击穿电压 (VDS)**: 250V
- **栅极电压 (VGS)**: ±20V
- **开启电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 176mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 17A
- **技术类型**: Trench
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C
- **功耗**: 具备低损耗特性和高效的散热性能
- **开关速度**: 适用于中高频率应用的开关性能
### 三、应用领域和模块举例
**1. AC-DC 电源转换器**:
K8P25DA-VB 非常适合用于 AC-DC 电源转换器,在高达 250V 的电压下,能够提供稳定的电流控制。其低导通电阻和高电流承载能力有助于提高电源转换效率,广泛应用于各类电源管理系统中。
**2. 不间断电源 (UPS) 系统**:
在 UPS 系统中,该 MOSFET 可用于控制电池的充放电过程,确保在电力中断时提供可靠的电源供应。其高电压耐受能力和快速响应特性使其能够高效管理电流,保证电池性能。
**3. 工业设备电源控制**:
K8P25DA-VB 可以应用于工业自动化设备和控制系统中,用于开关电源和负载控制。在高压和高功率的应用场景下,它能有效降低系统损耗,提高工作效率。
**4. 逆变器应用**:
该 MOSFET 适合用于光伏或其他能源转换系统中的逆变器,帮助将直流电转换为交流电。其高电压和高电流性能使其在大功率逆变器中具备出色的开关和能量转换效果。
**5. 电池管理系统**:
K8P25DA-VB 在电池管理系统中可用于电压和电流的调节和控制,尤其是在高电压需求的电池组应用中,通过其高效的电流开关管理确保系统稳定运行。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12