企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

K80S06K3L-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K80S06K3L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=10V
  • ID 97A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、K80S06K3L-VB 产品简介

K80S06K3L-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 沟道功率 MOSFET,专为中等电压和高电流应用设计。该器件具有 60V 的漏源击穿电压(VDS),支持最大 ±20V 的栅极驱动电压(VGS),开启电压(Vth)为 3V。其导通电阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 时为 12mΩ,而在 VGS=10V 时更低,达到 4.5mΩ,额定漏极电流(ID)为 97A。K80S06K3L-VB 采用先进的 Trench 技术,能够在高电流和高效能应用中表现出色,是理想的功率开关解决方案。

### 二、K80S06K3L-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO252  
- **沟道配置**: 单 N 沟道  
- **漏源击穿电压 (VDS)**: 60V  
- **栅极电压 (VGS)**: ±20V  
- **开启电压 (Vth)**: 3V  
- **导通电阻 (RDS(ON))**:  
 - 12mΩ @ VGS=4.5V  
 - 4.5mΩ @ VGS=10V  
- **漏极电流 (ID)**: 97A  
- **技术类型**: Trench  
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C  
- **功耗**: 具备低损耗特性  
- **开关速度**: 具有良好的开关性能,适合高频率应用

### 三、应用领域和模块举例

**1. DC-DC 转换器**:  
K80S06K3L-VB 非常适合用于各种 DC-DC 转换器,能够处理高达 60V 的电压和 97A 的电流。其低导通电阻特性能够提高转换效率,减少功耗,特别适合用于电源管理系统。

**2. 电机驱动控制**:  
在电动机驱动电路中,该 MOSFET 可用于控制直流电机和步进电机,提供稳定的电流和快速响应。其高额定电流能力和低热量产生的特点,有助于实现高效的电机控制系统。

**3. 电源适配器**:  
K80S06K3L-VB 可以应用于高效电源适配器中,提供良好的功率转换和管理。在消费电子产品中,能够支持快速充电和稳定供电,提升用户体验。

**4. LED 照明驱动电路**:  
该 MOSFET 也非常适用于 LED 照明驱动模块中,能够实现高效的电流控制,确保 LED 在高亮度下稳定工作,同时减少能耗和热量。

**5. 工业自动化系统**:  
在工业自动化和机器人技术中,K80S06K3L-VB 可用于高电流开关应用,支持精确的电源控制和负载管理,确保设备在高负载条件下的稳定运行。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    124浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    105浏览量