### K801-Z-T2-VB MOSFET 产品简介
K801-Z-T2-VB 是一款高效能单N沟道MOSFET，专为要求低导通损耗和高电流能力的应用而设计。该器件采用TO252封装，具备30V的漏源电压（VDS）和±20V的栅极电压（VGS），适合在较低电压下工作。其阈值电压（Vth）为1.7V，确保在较小的栅极电压下就能迅速导通。该MOSFET在VGS为10V时的导通电阻（RDS(ON)）仅为7mΩ，而在VGS为4.5V时为9mΩ，这使得它在功率密集型应用中表现优异，最大漏极电流（ID）可达到70A。K801-Z-T2-VB的沟槽技术（Trench）设计为多种电源管理和驱动应用提供了可靠的解决方案。
### K801-Z-T2-VB 详细参数说明
- **封装**：TO252
- **配置**：单N沟道（Single-N-Channel）
- **漏源电压 (VDS)**：30V
- **栅极电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**：70A
- **技术**：沟槽技术 (Trench)
- **工作温度范围**：-55°C ~ 150°C
### 应用领域与模块举例
1. **DC-DC转换器**：K801-Z-T2-VB 在DC-DC转换器中可作为开关元件使用，凭借其低导通电阻和高电流能力，能够显著提高转换效率，降低功率损耗，适合用于高效电源设计。
2. **电源管理**：该MOSFET非常适合于各类电源管理应用，包括电池管理系统和电源调节器，能够高效控制电源的输出电压和电流，确保系统的稳定性和可靠性。
3. **电动工具**：在电动工具中，K801-Z-T2-VB 可用于电机驱动和控制电路，凭借其高电流能力和低导通损耗，有助于提升电动工具的功率和续航能力。
4. **电动汽车充电器**：在电动汽车充电器中，该MOSFET的优良性能可以支持高效的功率转换和管理，确保充电过程中的能量损失最小化，提供快速、安全的充电解决方案。
K801-Z-T2-VB 的卓越性能和广泛适用性使其成为现代电子设计中的一个理想选择，能够满足各种电源和驱动应用的需求。
