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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K7P60W-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K7P60W-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 500mΩ@VGS=10V
  • ID 9A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、K7P60W-VB 产品简介

K7P60W-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 沟道功率 MOSFET,设计用于高电压和高电流的应用。该器件的漏源击穿电压(VDS)为 650V,栅极驱动电压(VGS)可达到 ±30V,开启电压(Vth)为 3.5V,导通电阻(RDS(ON))在 VGS=10V 时为 500mΩ,额定漏极电流(ID)为 9A。K7P60W-VB 采用先进的超结多重外延(SJ_Multi-EPI)技术,能够在高压条件下提供优异的开关性能和能效,适合多种严苛环境下的应用。

### 二、K7P60W-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO252  
- **沟道配置**: 单 N 沟道  
- **漏源击穿电压 (VDS)**: 650V  
- **栅极电压 (VGS)**: ±30V  
- **开启电压 (Vth)**: 3.5V  
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 500mΩ @ VGS=10V  
- **漏极电流 (ID)**: 9A  
- **技术类型**: 超结多重外延(SJ_Multi-EPI)  
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C  
- **功耗**: 在优化的设计下具备低损耗特性  
- **开关速度**: 优秀的开关性能,适合高频率应用

### 三、应用领域和模块举例

**1. 高压电源转换器**:  
K7P60W-VB 可广泛应用于高压电源转换器中,特别是在需要处理 650V 高压输入的应用。其低导通电阻和高效率特点,有助于提升整体转换效率,降低能耗,适合电源管理系统。

**2. 电动汽车充电系统**:  
在电动汽车充电系统中,该 MOSFET 能够承受高达 650V 的电压,确保充电过程中稳定和安全的电流传输。它的高效开关特性可以提高充电效率,降低发热。

**3. 光伏逆变器**:  
K7P60W-VB 非常适合用于光伏逆变器中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。其高击穿电压和优秀的开关性能,使其能够在高能量和高频率条件下稳定工作。

**4. 工业控制系统**:  
在各种工业控制系统中,例如自动化设备和机器人,K7P60W-VB 可用于驱动电机和控制负载,保证系统在高电压环境下的稳定性和安全性。

**5. 消费电子产品**:  
该 MOSFET 也适用于各种消费电子产品,如高效电源适配器和充电器,提供可靠的电流管理,并确保设备在高压和高负载下的正常运行。

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