--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 500mΩ@VGS=10V
- ID 9A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、K7P60W-VB 产品简介
K7P60W-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 沟道功率 MOSFET,设计用于高电压和高电流的应用。该器件的漏源击穿电压(VDS)为 650V,栅极驱动电压(VGS)可达到 ±30V,开启电压(Vth)为 3.5V,导通电阻(RDS(ON))在 VGS=10V 时为 500mΩ,额定漏极电流(ID)为 9A。K7P60W-VB 采用先进的超结多重外延(SJ_Multi-EPI)技术,能够在高压条件下提供优异的开关性能和能效,适合多种严苛环境下的应用。
### 二、K7P60W-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **沟道配置**: 单 N 沟道
- **漏源击穿电压 (VDS)**: 650V
- **栅极电压 (VGS)**: ±30V
- **开启电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 500mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 9A
- **技术类型**: 超结多重外延(SJ_Multi-EPI)
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C
- **功耗**: 在优化的设计下具备低损耗特性
- **开关速度**: 优秀的开关性能,适合高频率应用
### 三、应用领域和模块举例
**1. 高压电源转换器**:
K7P60W-VB 可广泛应用于高压电源转换器中,特别是在需要处理 650V 高压输入的应用。其低导通电阻和高效率特点,有助于提升整体转换效率,降低能耗,适合电源管理系统。
**2. 电动汽车充电系统**:
在电动汽车充电系统中,该 MOSFET 能够承受高达 650V 的电压,确保充电过程中稳定和安全的电流传输。它的高效开关特性可以提高充电效率,降低发热。
**3. 光伏逆变器**:
K7P60W-VB 非常适合用于光伏逆变器中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。其高击穿电压和优秀的开关性能,使其能够在高能量和高频率条件下稳定工作。
**4. 工业控制系统**:
在各种工业控制系统中,例如自动化设备和机器人,K7P60W-VB 可用于驱动电机和控制负载,保证系统在高电压环境下的稳定性和安全性。
**5. 消费电子产品**:
该 MOSFET 也适用于各种消费电子产品,如高效电源适配器和充电器,提供可靠的电流管理,并确保设备在高压和高负载下的正常运行。
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