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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K60P03M1-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K60P03M1-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### K60P03M1-VB MOSFET 产品简介:
K60P03M1-VB 是一款高性能的单 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,具有低导通电阻和高电流处理能力。该器件适用于 30V 低压应用,栅源电压(VGS)为 ±20V,阈值电压(Vth)为 1.7V。该器件的导通电阻在 VGS=4.5V 时为 3mΩ,在 VGS=10V 时为 2mΩ,并能够处理高达 100A 的连续漏极电流(ID)。K60P03M1-VB 采用了先进的沟槽(Trench)技术,具有高效的功率转换性能,特别适合需要高电流、高能效的电路。

### 详细参数说明:
1. **封装:** TO252 – 具有较好的热性能,适合紧凑的电路设计。
2. **配置:** 单 N 通道 – 用于功率转换和开关控制。
3. **VDS(漏源电压):** 30V – 适用于低压应用场景。
4. **VGS(栅源电压):** ±20V – 提供较好的驱动灵活性。
5. **Vth(阈值电压):** 1.7V – 较低的开启电压,适合低功率驱动。
6. **RDS(ON)(导通电阻):** 
  - 3mΩ @ VGS = 4.5V
  - 2mΩ @ VGS = 10V – 极低的导通电阻,减少功率损耗,提升能效。
7. **ID(连续漏电流):** 100A – 适合高电流应用,保证大功率处理。
8. **技术:** 沟槽(Trench)技术 – 提供高效的开关特性和较低的导通损耗。

### 应用示例:
K60P03M1-VB MOSFET 的高电流处理能力和低导通电阻使其在多个应用领域中表现优异,以下是该器件的典型应用场景:

- **电动工具与电动机驱动:** 该器件适合在电动工具和直流电动机驱动中使用,由于其高电流承载能力和低导通电阻,能够提高设备的运行效率并降低能量损耗。
- **汽车电子系统:** K60P03M1-VB 适合在汽车的功率管理和控制模块中使用,特别是在电源分配模块、电池管理系统和电动驱动控制系统中,帮助优化能源分配和提高电路稳定性。
- **电源管理模块(DC-DC 转换器):** 此 MOSFET 也广泛用于 DC-DC 电源管理系统中,特别是在需要高效率、高电流输出的开关电源中,如服务器、路由器等设备的电源管理。
- **负载开关:** 由于其极低的导通电阻,K60P03M1-VB 非常适合用作高电流负载的开关元件,确保功率传输的效率和稳定性,适合用于家电、照明等设备。
- **太阳能逆变器:** 该 MOSFET 可用于光伏系统中的电力转换与能量管理,在逆变器模块中实现高效的直流到交流转换。

总的来说,K60P03M1-VB MOSFET 以其出色的低导通电阻和高电流能力,特别适合应用于电动工具、汽车电子、电源管理模块及太阳能系统等领域,提供高效的功率控制与转换解决方案。

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