**K50S04K3L-VB MOSFET 产品简介**
K50S04K3L-VB 是一款高性能单N沟道功率MOSFET，采用 TO252 封装，专为低电压和高电流应用而设计。该器件的漏源极电压 (VDS) 可达 40V，适用于各种高效电源和电机控制解决方案。其阈值电压 (Vth) 为 2.5V，确保在较低的栅源电压下实现可靠的开关操作。在 VGS=10V 时，其导通电阻 (RDS(ON)) 仅为 5mΩ，提供了极低的导通损耗。K50S04K3L-VB 的最大漏极电流 (ID) 可达 85A，采用先进的 Trench 技术，确保了出色的热性能和效率，广泛应用于电源管理、工业控制及电动机驱动等领域。
**K50S04K3L-VB 详细参数说明**
- **封装类型**：TO252
- **沟道类型**：单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**：40V
- **栅源极电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 5mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：85A
- **技术**：Trench（沟槽技术）
**K50S04K3L-VB 应用领域及模块**
1. **电源管理**：K50S04K3L-VB 在电源管理应用中表现出色，尤其是在高效率 DC-DC 转换器中，能够有效降低功耗并提升系统的整体效率，广泛应用于计算机电源、通信设备及便携式电子产品。
2. **电动机驱动**：该 MOSFET 非常适合用于电动机控制应用，能够在电动机驱动器中处理高电流，确保平稳启动和运行，广泛应用于电动工具、家用电器及工业自动化设备。
3. **LED 驱动电路**：K50S04K3L-VB 可用于 LED 驱动电路，提供稳定的电流输出以驱动高功率 LED，适用于照明应用和显示屏，确保LED的高效和长寿命。
4. **汽车电子**：在汽车电子系统中，该 MOSFET 可用于电源分配和电机驱动，如电动窗、座椅调节和其他电动装置，其高耐压和高电流能力使其能够满足汽车应用的要求。
5. **电源适配器**：由于其低导通电阻和高效率，K50S04K3L-VB 是电源适配器和充电器中的理想选择，能够在高负载条件下稳定工作，确保设备安全充电。
K50S04K3L-VB MOSFET 凭借其出色的电气性能、低功耗和广泛的应用适应性，成为低压高电流应用中的关键组件，能够为各种电子设备提供高效的解决方案。
