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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K45S06K3L-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K45S06K3L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
  • ID 58A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### K45S06K3L-VB MOSFET 产品简介:
K45S06K3L-VB 是一款高性能的单 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为中低电压应用设计。其漏极到源极电压(VDS)为 60V,栅极到源极电压(VGS)为 ±20V,能够在多种条件下稳定运行。该器件的阈值电压(Vth)为 2.5V,使其在较低的驱动电压下即可导通。K45S06K3L-VB 在 VGS 为 4.5V 时,导通电阻(RDS(ON))为 13mΩ,而在 VGS 为 10V 时,导通电阻进一步降低至 10mΩ,这样的低导通电阻使得该器件可以支持高达 58A 的连续漏电流(ID),非常适合需要高效功率管理的应用场景。该 MOSFET 采用 Trench 技术,具有优异的电气性能和散热性能。

### 详细参数说明:
1. **封装:** TO252 – 小型化封装,适合高功率应用。
2. **配置:** 单 N 通道 – 适用于多种开关和放大电路。
3. **VDS(漏极到源极电压):** 60V – 适合中低电压应用。
4. **VGS(栅极到源极电压):** ±20V – 提供稳定的栅极驱动能力。
5. **Vth(阈值电压):** 2.5V – 低阈值电压,适合低电压驱动。
6. **RDS(ON)(漏源间导通电阻):**
  - 13mΩ @ VGS = 4.5V – 低导通电阻,适合高效率应用。
  - 10mΩ @ VGS = 10V – 更低导通电阻,适合高电流应用。
7. **ID(连续漏电流):** 58A – 支持高负载,适合各种电源管理应用。
8. **技术:** Trench – 提供更低的导通电阻和高效的功率转换。

### 应用示例:
K45S06K3L-VB MOSFET 因其出色的电流承载能力和低导通电阻,适合广泛的应用领域。以下是一些具体的应用场景:

- **电源管理模块:** 该 MOSFET 在 DC-DC 转换器和电源调节器中被广泛应用,能够高效地将输入电压转换为所需输出,确保在高电流负载下的稳定性和可靠性。
- **电动工具:** 在高功率电动工具的电机驱动中,K45S06K3L-VB 可作为开关元件,支持高达 58A 的电流,确保工具在各种负载条件下的高效运行。
- **电动汽车(EV):** 该器件可用于电动汽车的电源管理和电池控制系统,提供高效能量转换,确保电池的稳定性和安全性。
- **消费电子产品:** K45S06K3L-VB 适用于高性能的消费类电子设备,如智能手机和笔记本电脑的电源管理模块,实现高效能耗控制。
- **照明控制:** 在 LED 驱动电路中,该 MOSFET 提供稳定的电流控制,确保 LED 照明系统的高效能和长寿命。

综上所述,K45S06K3L-VB MOSFET 凭借其优异的低导通电阻、高电流能力和高效 Trench 技术,在电源管理模块、电动工具、电动汽车及消费电子产品中展现出广泛的应用潜力,确保了高效的功率转换和稳定的电流控制。

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