### 产品简介：
K429-VB 是一款采用 TO-252 封装的单一 N 沟道 MOSFET，专为中高压应用设计，具有良好的导电性能和高效能。该器件的漏源极电压 (VDS) 高达 100V，栅源极电压 (VGS) 范围为 ±20V。开启电压 (Vth) 为 1.8V，导通电阻 RDS(ON) 在 VGS 为 10V 时为 114mΩ，最大漏极电流 (ID) 为 15A。采用 Trench 技术，K429-VB 确保了低功耗和高开关速度，使其在各种电源和开关应用中表现出色。
### 详细参数说明：
- **封装类型**: TO-252（紧凑型封装，适合高功率密度应用）
- **配置**: 单一 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 100V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **开启电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 15A
- **技术**: Trench（沟槽）技术，提供低导通电阻和高效能
- **热性能**: TO-252 封装具有良好的散热特性，适合高电流工作环境
### 适用领域和模块：
1. **电源管理**：K429-VB 在高效电源转换应用中表现卓越，适合用于开关电源、DC-DC 转换器及电源适配器等，能够在保持较低热量的同时提供高电流输出，提高系统能效。
2. **电动机控制**：该 MOSFET 非常适合电动机驱动应用，如家电、自动化设备和电动工具，能够在高电压下稳定工作，确保电机高效且可靠地运行。
3. **LED驱动电路**：在 LED 照明系统中，K429 能够精确控制电流，适用于各种 LED 驱动电路，确保高亮度和长寿命，满足现代照明的需求。
4. **消费电子产品**：在各种消费电子设备中，如智能手机、平板电脑和游戏控制台，K429-VB 可以用于电源管理组件，帮助延长电池寿命和提升系统整体性能。
5. **充电器和充电站**：该器件还适用于电动车充电器和高效充电站，能够处理较高的电压和电流，确保安全和高效的充电过程。
综上所述，K429-VB 凭借其卓越的电气性能和灵活的应用范围，成为了多种电源管理和开关应用中的理想选择，适用于从工业设备到消费电子的多个领域。
