### 一、产品简介
K4213-ZK-VB 是一款高效的N沟道功率MOSFET，采用先进的Trench技术，具备卓越的导通性能和热管理能力。该器件采用TO252封装，支持高达30V的漏源电压（VDS）和100A的连续漏极电流（ID），非常适合在高功率应用中使用。其阈值电压（Vth）为1.7V，栅源电压（VGS）最大可达±20V，确保器件在不同工作条件下具有优异的开关特性。K4213-ZK-VB的低导通电阻（RDS(ON)）为3mΩ（在VGS=4.5V时）和2mΩ（在VGS=10V时），极大地降低了功率损耗，提高了整体系统的能效。
### 二、详细参数说明
- **封装**：TO252
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：30V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 3mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：100A
- **技术**：Trench
- **其他性能**：K4213的设计优化了开关速度和电流处理能力，适合高频和高负载应用。
### 三、应用领域和模块
K4213-ZK-VB凭借其高电流处理能力和低导通电阻，适用于以下多个领域和模块：
1. **电源管理系统**：该MOSFET在DC-DC转换器和电源分配模块中表现出色，能够在多个电压等级间高效地转换电力，适合用于服务器、数据中心和工业设备等需要高效率和稳定性的电源系统。
2. **电机驱动与控制**：由于其能够处理高达100A的电流，K4213非常适合用于电机驱动器和控制模块，尤其是在电动汽车、电动工具和工业自动化设备中的应用，能够提供平稳且高效的电机控制。
3. **汽车电子**：在汽车电子领域，K4213可用于电池管理系统（BMS）和电源管理模块（PDM），其高耐压和高电流能力使其在恶劣环境下仍能稳定工作，保障汽车的安全性和可靠性。
4. **消费类电子产品**：这款MOSFET同样适合用于笔记本电脑、手机和平板电脑的充电电路，能有效降低功耗并提升设备的续航能力，适应快速充电和高频开关的需求。
K4213-ZK-VB以其优越的性能和广泛的应用领域，成为许多高效电源和电机控制系统的理想选择。
