--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
- ID 100A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### K4213-ZK-E1-VB MOSFET 产品简介:
K4213-ZK-E1-VB 是一款高性能的单 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为高电流和低电压应用设计。该器件具有 30V 的漏极到源极电压(VDS)和 ±20V 的栅极到源极电压(VGS)耐受能力,能够在较高的电流条件下运行。其阈值电压(Vth)为 1.7V,确保低电压下的高效导通。K4213-ZK-E1-VB 在 VGS 为 4.5V 时,导通电阻(RDS(ON))仅为 3mΩ,而在 VGS 为 10V 时进一步降低至 2mΩ,支持高达 100A 的连续漏电流(ID),使其成为高效能电源管理和开关应用的理想选择。该 MOSFET 采用 Trench 技术,具有优异的功率转换效率和热性能。
### 详细参数说明:
1. **封装:** TO252 – 小型化封装,适合高功率应用。
2. **配置:** 单 N 通道 – 可用于多种开关和放大电路。
3. **VDS(漏极到源极电压):** 30V – 适合低电压应用。
4. **VGS(栅极到源极电压):** ±20V – 提供稳定的栅极驱动能力。
5. **Vth(阈值电压):** 1.7V – 低阈值电压,适合低电压驱动。
6. **RDS(ON)(漏源间导通电阻):**
- 3mΩ @ VGS = 4.5V – 低导通电阻,适合高效率应用。
- 2mΩ @ VGS = 10V – 更低导通电阻,适合高电流应用。
7. **ID(连续漏电流):** 100A – 支持高负载,适合各种电源管理应用。
8. **技术:** Trench – 提供更低的导通电阻和高效的功率转换。
### 应用示例:
K4213-ZK-E1-VB MOSFET 由于其低导通电阻和高电流承载能力,适用于多个领域和模块。以下是一些具体的应用场景:
- **电源管理系统:** 该 MOSFET 在 DC-DC 转换器和电源调节器中广泛应用,能够高效地将输入电压转换为所需输出,确保设备在高电流负载下的稳定性和可靠性。
- **电动工具:** 在高功率电动工具的电机驱动中,K4213-ZK-E1-VB 可以作为开关元件,支持高达 100A 的电流,确保工具在各种负载条件下的高效运行。
- **电动汽车(EV):** 该器件可用于电动汽车的电源管理和电池控制系统,提供高效能量转换,确保电池的稳定性和安全性。
- **消费电子产品:** K4213-ZK-E1-VB 适用于高性能的消费类电子设备,如智能手机和笔记本电脑的电源管理模块,实现高效能耗控制。
- **照明控制:** 在 LED 驱动电路中,该 MOSFET 提供稳定的电流控制,确保 LED 照明系统的高效能和长寿命。
综上所述,K4213-ZK-E1-VB MOSFET 凭借其优异的低导通电阻、高电流能力和高效 Trench 技术,在电源管理系统、电动工具、电动汽车及消费电子产品中展现出广泛的应用潜力,确保了高效的功率转换和稳定的电流控制。
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