**产品简介：**
K4213-VB是一款采用TO252封装的单N沟道MOSFET，专为高效能和低功耗应用而设计。该MOSFET具有30V的击穿电压，适合用于低电压电源管理和开关应用。凭借其优异的导通电阻，K4213-VB在VGS=10V时导通电阻仅为2mΩ，能够支持高达100A的漏极电流，适用于高效能电源转换和控制电路。采用Trench工艺技术，该器件在高频开关操作中表现出色，适合多种应用场景。
**详细参数说明：**
- **封装类型**：TO252
- **极性**：单N沟道
- **击穿电压 (VDS)**：30V
- **栅极驱动电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 3mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**：100A
- **技术工艺**：Trench
**应用领域和模块：**
1. **DC-DC转换器**：K4213-VB非常适合用于DC-DC转换器中，能够在高效率下将输入电压转换为所需的输出电压。其低导通电阻使得在转换过程中能有效降低功耗，提高整体能效，非常适合用于电源模块和电池供电设备中。
2. **电动机驱动**：在电动机驱动应用中，该MOSFET可以作为开关元件，实现高电流控制，适用于电动工具和电动车辆的电机控制系统。其高电流承载能力确保了电动机在启动和运行时的稳定性和可靠性。
3. **LED照明控制**：K4213-VB可用于LED驱动电路中，尤其是需要高电流的LED应用，如大功率LED灯。其低导通电阻有助于提高LED的驱动效率，延长LED的使用寿命。
4. **电源管理IC**：在各种电源管理IC（PMIC）中，K4213-VB可作为负载开关和电源路径控制器。其快速开关特性和高电流承载能力使其在动态负载切换场景中表现出色，保证了系统的安全和稳定性。
K4213-VB凭借其高电流能力、低功耗特性和广泛的应用场景，成为现代电子设计中重要的功率控制元件。
