**K4213-E1-AY-VB MOSFET 产品简介**
K4213-E1-AY-VB 是一款采用 TO252 封装的单N沟道功率MOSFET，专为低电压和高电流应用设计。它能够承受高达 30V 的漏源极电压 (VDS)，并在VGS=10V时具有低至 2mΩ 的导通电阻 (RDS(ON))，使其在高电流情况下依然能保持高效的性能。额定漏极电流 (ID) 高达 100A，确保其在各种功率管理应用中能够提供可靠的性能。采用先进的Trench技术，K4213-E1-AY-VB 不仅具备出色的热性能，还能实现快速开关，使其在高频开关应用中非常高效。该MOSFET 广泛应用于电源转换、电机驱动及汽车电子等领域。
**K4213-E1-AY-VB 详细参数说明**
- **封装类型**：TO252
- **沟道类型**：单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**：30V
- **栅源极电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 3mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：100A
- **技术**：Trench（沟槽技术）
**K4213-E1-AY-VB 应用领域及模块**
1. **电源管理**：K4213-E1-AY-VB 适用于高效的电源管理应用，特别是在开关电源（SMPS）中，能够有效地控制电源转换过程，提高系统的整体效率。
2. **电动机控制**：由于其高电流承载能力和低导通电阻，该MOSFET 常用于电动机控制应用中，例如在电动车、家用电器和工业自动化设备中，确保电机在不同负载条件下稳定运行。
3. **电源适配器**：在高功率的电源适配器中，K4213-E1-AY-VB 可用于电流开关和电流监测，确保输出电流的稳定性和安全性，适合智能手机、笔记本电脑等电子设备的充电模块。
4. **LED驱动**：该MOSFET 的低导通电阻使其成为大功率LED驱动应用的理想选择。它能够高效地驱动高亮度LED灯，广泛应用于照明和显示器行业，确保LED灯具的高效运行。
5. **汽车电子**：在汽车电子领域，K4213-E1-AY-VB 可用于电源分配和管理模块，如车载电源转换器和电池管理系统。其高电流和低电压特性，适应汽车环境中的高负荷工作条件。
K4213-E1-AY-VB MOSFET 以其优异的电气性能和广泛的应用适应性，成为现代电子设备中不可或缺的元件，特别是在高效能和高可靠性要求的场合。
