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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K4212A-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K4212A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### K4212A-VB MOSFET 产品简介:
K4212A-VB 是一款高性能、低电阻的单 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为高电流、低电压应用设计。其漏极到源极电压(VDS)为 30V,栅极到源极电压(VGS)为 ±20V,具有较低的开启阈值电压(Vth),仅为 1.7V。该器件在 VGS 为 4.5V 时,导通电阻(RDS(ON))为 6mΩ,在 VGS 为 10V 时进一步降低至 5mΩ,支持高达 80A 的连续漏电流(ID)。该 MOSFET 采用 Trench 技术,提供更低的导通电阻和高效的功率转换,非常适合高效率的电源管理和开关应用。

### 详细参数说明:
1. **封装:** TO252 – 小型散热封装,适合高功率应用。
2. **配置:** 单 N 通道 – 适用于开关和放大电路中的高电流应用。
3. **VDS(漏极到源极电压):** 30V – 适合低电压应用。
4. **VGS(栅极到源极电压):** ±20V – 提供稳定的栅极驱动耐受能力。
5. **Vth(阈值电压):** 1.7V – 低阈值电压,适合低电压控制应用。
6. **RDS(ON)(漏源间导通电阻):**
  - 6mΩ @ VGS = 4.5V – 低电阻,适合低电压导通。
  - 5mΩ @ VGS = 10V – 更低电阻,支持更高电流。
7. **ID(连续漏电流):** 80A – 适合高电流处理,适用于大功率电路。
8. **技术:** Trench – 沟槽技术,提供更高的效率和低损耗。

### 应用示例:
K4212A-VB MOSFET 以其低导通电阻和高电流承载能力,适合广泛的应用领域,尤其是在高效功率转换和开关电路中。以下是一些具体的应用场景:

- **电源管理模块(Power Management Modules):** 该 MOSFET 适合用于 DC-DC 转换器和电源调节器,特别是在计算设备、服务器和网络设备中,能够在低电压下高效地传输大电流,优化能效。
- **电动工具:** 在高功率电动工具中,K4212A-VB 可用于电机控制和功率开关应用,提供足够的电流承载能力,确保工具在重载条件下的可靠工作。
- **汽车电子:** 在汽车电子系统中,该器件适用于车载电源分配、电池管理和电动系统控制,确保在苛刻的环境下提供高效的功率管理。
- **消费类电子产品:** K4212A-VB 在高性能的消费类电子产品中,如笔记本电脑、智能手机和平板电脑的电源管理模块中发挥着关键作用,确保设备的高效能耗控制。
- **照明系统:** 在 LED 驱动器和电源控制系统中,该 MOSFET 提供稳定的电流控制,确保 LED 照明设备的长寿命和高效能。

综上所述,K4212A-VB MOSFET 凭借其优异的低导通电阻、高电流能力和高效 Trench 技术,广泛应用于电源管理模块、电动工具、汽车电子以及消费类电子产品中,确保了高效的功率转换和稳定的电流控制。

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