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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K416-S-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K416-S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、K416-S-VB MOSFET 产品简介

K416-S-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装设计,具有良好的散热性能和电气绝缘特性。该 MOSFET 的漏源电压(VDS)高达 60V,适合于低至中压应用。其栅源电压(VGS)范围为 ±20V,确保在多种工作条件下的稳定性。开启阈值电压(Vth)为 1.7V,在 VGS=4.5V 时,其导通电阻(RDS(ON))为 85mΩ,而在 VGS=10V 时为 73mΩ,最大漏极电流可达到 18A。K416-S-VB 采用尖端的 Trench 技术,确保了其在低电压应用中的高效能和可靠性,成为高效电源管理和控制系统的理想选择。

### 二、K416-S-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**:TO252
- **沟道类型**:单 N 沟道
- **漏源电压(VDS)**:60V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **开启阈值电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - 85mΩ @ VGS=4.5V
 - 73mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**:18A
- **技术类型**:Trench 技术
- **散热性能**:良好的散热特性,适合多种应用场合

### 三、K416-S-VB MOSFET 的应用领域和模块

1. **开关电源(SMPS)**  
  K416-S-VB 适用于各种开关电源设计,包括 DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器。其 60V 的耐压特性和较低的导通电阻,使其能够在电源转换过程中提供高效能量转换,广泛应用于适配器、充电器和电源模块中。

2. **电机控制**  
  在电机控制系统中,K416-S-VB 能够有效驱动小型电机,提供稳定的功率输出。其较高的漏极电流能力和良好的热管理特性使其适用于电动工具、家用电器和电动车辆的电机驱动。

3. **电池管理系统(BMS)**  
  K416-S-VB 在电池管理系统中用作关键开关元件,管理电池的充电和放电过程。其高电流承载能力和低导通电阻确保电池在工作过程中的安全与效率,广泛应用于电动车和储能解决方案。

4. **光伏逆变器**  
  在光伏发电系统中,K416-S-VB 可以用作逆变器的主要开关元件,负责将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。其优越的性能能够提高光伏系统的整体效率,适合于家庭和商业光伏发电应用。

5. **LED驱动电路**  
  K416-S-VB 适用于LED驱动电路中,作为开关元件调节LED的工作电流。其高效率和快速开关特性使其在照明领域的应用非常广泛,适用于各种照明控制系统和模块。

K416-S-VB 以其卓越的电气性能和可靠性,成为低至中压应用中的重要组件,适用于广泛的工业和消费电子领域。

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