企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

K4091-ZK-E1-AY-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K4091-ZK-E1-AY-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### K4091-ZK-E1-AY-VB 产品简介

K4091-ZK-E1-AY-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,设计用于低压高电流应用。该器件的最大漏极-源极电压 (VDS) 为 30V,支持的门源电压 (VGS) 为 ±20V。其阈值电压 (Vth) 为 1.7V,导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 时为 9mΩ,VGS=10V 时为 7mΩ。K4091-ZK-E1-AY-VB 支持高达 70A 的漏极电流 (ID),并采用了高效的 Trench 技术,使其在电源管理和驱动电路中具有出色的性能和高效性,广泛应用于电源转换器、驱动电路和其他低压大电流的电子设备。

### 详细参数说明

| 参数                  | 描述                      |
|---------------------|-------------------------|
| **封装**              | TO252                   |
| **配置**              | 单 N 沟道 MOSFET        |
| **最大漏极电压 (VDS)** | 30V                     |
| **门源电压 (VGS)**    | ±20V                    |
| **阈值电压 (Vth)**    | 1.7V                    |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 9mΩ @ VGS=4.5V         |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 7mΩ @ VGS=10V          |
| **最大漏极电流 (ID)**  | 70A                     |
| **技术**              | Trench                  |

### 适用领域与模块示例

1. **电源管理**:K4091-ZK-E1-AY-VB 可用于各种电源管理应用,例如 DC-DC 转换器。由于其低导通电阻和高电流能力,这款 MOSFET 能有效降低功耗,提升系统效率,特别适合于需要高效能和高可靠性的电源设计,如手机充电器、便携式设备的电源模块等。

2. **电机驱动**:该 MOSFET 的高电流能力使其适合用于电机驱动应用,如小型电机和步进电机驱动器。在这些应用中,K4091-ZK-E1-AY-VB 能够提供快速的开关操作和高效的电流控制,确保电机的平稳运行和高效能。

3. **LED 驱动**:在 LED 驱动电路中,该 MOSFET 可用于控制高电流和高效率的 LED 照明系统。K4091-ZK-E1-AY-VB 通过其低导通电阻和高电流能力,能够确保稳定的电流输出,适应不同的 LED 照明需求,广泛应用于家居照明和商业照明设备。

4. **电子开关**:K4091-ZK-E1-AY-VB 适用于各种开关电源和电子开关应用,能够有效控制负载电流。在计算机电源管理、家电开关及其他需要快速开关控制的电路中,表现出色。

5. **充电器应用**:该器件在充电器应用中也非常受欢迎,特别是在电池管理系统中。其高电流处理能力和低导通电阻,能够有效提高充电效率并降低发热,适合用于锂电池充电器和移动设备的快速充电解决方案。

K4091-ZK-E1-AY-VB 的高效性能和低电阻特性,使其成为低压高电流应用中理想的选择,在广泛的电子设备和模块中都有着重要的应用。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    123浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    105浏览量