企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

K4080-ZK-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K4080-ZK-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、K4080-ZK-VB 产品简介

K4080-ZK-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 沟道 MOSFET,专为低电压高电流应用设计。其漏源电压 (VDS) 为 30V,栅源电压 (VGS) 高达 ±20V,具有较低的栅极门限电压 (Vth) 1.7V,确保快速开启响应。该器件的导通电阻 (RDS(ON)) 分别为 6mΩ(@ VGS=4.5V)和 5mΩ(@ VGS=10V),最大漏极电流 (ID) 可达 80A,提供了卓越的电流处理能力和高效的功率转换。这款 MOSFET 采用先进的沟槽 (Trench) 技术,进一步优化了其导通损耗,使其非常适合高效电源管理和开关应用。

### 二、K4080-ZK-VB 详细参数说明

- **型号**:K4080-ZK-VB
- **封装类型**:TO252
- **配置**:单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**:30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **栅极门限电压 (Vth)**:1.7V
- **漏源导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS = 4.5V
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**:80A
- **技术类型**:沟槽型技术 (Trench)
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C(结温)
- **功率耗散**:与具体的应用条件相关

### 三、K4080-ZK-VB 应用领域与模块举例

1. **DC-DC 转换器**  
  K4080-ZK-VB 特别适合低压 DC-DC 转换器应用,其较低的导通电阻和高电流承载能力使其在高效能量转换中表现出色。它能够在笔记本电脑、服务器电源模块、通信设备中提供高效的电流切换与管理,减少损耗并提高系统整体效率。

2. **电动工具与电池管理系统**  
  在电动工具和电池管理系统中,K4080-ZK-VB 的高电流承载能力 (80A) 以及较低的导通电阻,使其能够快速响应高负载需求,维持稳定的输出电流。其应用范围涵盖电动工具的电机驱动模块、电池保护电路以及便携式设备的电源控制。

3. **电源管理模块 (PMU)**  
  该器件非常适合用于电源管理模块中,特别是在需要高效开关操作和能量转换的场合,如智能手机和可穿戴设备的电源管理单元 (PMU)。其低栅极驱动需求和快速开关能力可以有效降低转换损耗,延长电池续航时间。

4. **汽车电子设备**  
  K4080-ZK-VB 的沟槽技术 (Trench) 使其在汽车电子应用中具有很好的表现,如用于 12V 汽车电池系统的低压电源控制、车载充电器、汽车照明系统等领域。其高电流处理能力确保了车载电气设备的高效运行。

总结而言,K4080-ZK-VB 是一款高效、低损耗的 N 沟道 MOSFET,适用于低压、高电流的电源管理、DC-DC 转换、汽车电子和电动工具等多个应用领域,能够为设备提供稳定的电源转换与控制解决方案。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    123浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    105浏览量