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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K4080-ZK-E2-AY-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K4080-ZK-E2-AY-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### K4080-ZK-E2-AY-VB 产品简介

K4080-ZK-E2-AY-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 通道 MOSFET,设计用于低压、高电流应用。它具有最大漏极源极电压 (VDS) 为 30V,栅极源极电压 (VGS) 为 ±20V 的特性,提供较宽的操作电压范围。该 MOSFET 的阈值电压 (Vth) 为 1.7V,能够迅速开启并提供稳定的电流控制。导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 时为 6mΩ,VGS=10V 时为 5mΩ,这使其能够在大电流传输中保持低功耗。最大漏极电流 (ID) 为 80A,配合其 Trench 技术,使该器件在高效电源管理系统和开关电路中表现出色。

### 详细参数说明

| 参数               | 值                     |
|------------------|----------------------|
| 型号               | K4080-ZK-E2-AY-VB     |
| 封装               | TO252                |
| 配置               | 单 N 通道            |
| 最大漏极源极电压 (VDS) | 30V                  |
| 最大栅极源极电压 (VGS) | ±20V                |
| 阈值电压 (Vth)    | 1.7V                 |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 6mΩ @ VGS=4.5V       |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 5mΩ @ VGS=10V        |
| 最大漏电流 (ID)   | 80A                  |
| 技术               | Trench               |

### 应用领域和模块示例

K4080-ZK-E2-AY-VB MOSFET 广泛应用于多个领域,尤其适合以下模块:

1. **电源管理模块**:K4080-ZK-E2-AY-VB 的低导通电阻和高电流能力使其成为高效 DC-DC 转换器和稳压电源中的理想选择,能够提高功率转换效率并降低能量损耗。

2. **汽车电子**:在电动汽车或电池管理系统中,该器件用于电源分配和保护电路。其大电流处理能力支持快速充放电和负载调节,确保电动系统的高效运行。

3. **电动工具驱动**:K4080-ZK-E2-AY-VB 能够为高功率电动工具提供强劲的电流支持,确保电动工具在高负荷下能够保持稳定输出,同时降低功耗和发热。

4. **LED 照明驱动**:在 LED 驱动应用中,该 MOSFET 能够提供持续稳定的电流,有效控制亮度并延长 LED 的使用寿命,特别适用于大功率照明设备。

5. **消费电子设备**:在智能家居、手机、平板电脑等设备的电源控制模块中,K4080-ZK-E2-AY-VB 凭借其高效能和低功耗特性,能够确保电子设备在长时间运行中的稳定性。

总之,K4080-ZK-E2-AY-VB 以其出色的电流承载能力和高效能成为多种现代电子设备和系统中的关键组件,为电源管理、电动驱动和电子消费产品提供可靠的支持。

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