### 一、K4078B-ZK-VB 产品简介
K4078B-ZK-VB 是一款高效能的单 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，专为低电压、高电流应用而设计。其漏源电压 (VDS) 达到 40V，能够支持 ±20V 的栅源电压 (VGS)，确保在多种工作条件下的稳定性。该器件的栅极门限电压 (Vth) 为 2.5V，提供了快速的开关响应能力。在导通状态下，K4078B-ZK-VB 的漏源导通电阻 (RDS(ON)) 为 6mΩ（@ VGS=4.5V）和 5mΩ（@ VGS=10V），使其在功率损耗方面表现优异，适合高效电源应用。该器件的最大漏极电流 (ID) 为 85A，非常适合需要大电流处理的场合，采用了沟槽 (Trench) 技术，进一步提升了其开关速度和导通性能。
### 二、K4078B-ZK-VB 详细参数说明
- **型号**：K4078B-ZK-VB
- **封装类型**：TO252
- **配置**：单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**：40V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **栅极门限电压 (Vth)**：2.5V
- **漏源导通电阻 (RDS(ON))**：
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**：85A
- **技术类型**：沟槽技术（Trench）
- **工作温度范围**：-55°C 至 150°C（结温）
- **功率耗散**：待具体应用情况下评估
### 三、K4078B-ZK-VB 应用领域与模块举例
1. **电源管理系统**
K4078B-ZK-VB 非常适合用于电源管理应用，包括 DC-DC 转换器和 AC-DC 电源适配器。其低 RDS(ON) 值和高电流能力能够有效提高功率转换效率，减少能量损耗，特别适用于对能效要求较高的设备。
2. **负载开关**
在负载开关应用中，K4078B-ZK-VB 能够快速响应控制信号，确保在不同负载条件下的高效切换。其高达 85A 的漏极电流能力使其能够处理各种工业和消费电子设备中的高功率负载，保证系统的稳定性和安全性。
3. **电机驱动**
该 MOSFET 适用于各种电机驱动应用，如小型电机控制和自动化系统。其快速开关特性使得电机启动和停止迅速高效，有助于提升电机运行的整体性能，广泛应用于家电和工业设备中。
4. **汽车电子**
K4078B-ZK-VB 也可应用于汽车电子系统中，如电源分配和电动助力转向系统，确保高电流处理的同时保证稳定性和安全性。这类应用要求器件在高温和严苛环境下仍能稳定工作，而该 MOSFET 能够满足这些要求。
综上所述，K4078B-ZK-VB 是一款高性能的 MOSFET，适用于多种低电压、高电流应用领域，包括电源管理、负载开关、电机驱动和汽车电子等。其卓越的电气性能使其在各类应用中成为理想选择。
