--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 40V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 12mΩ@VGS=10V
- ID 55A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### K4077-ZK-VB MOSFET 产品简介
K4077-ZK-VB 是一款高效能的N沟道MOSFET,采用TO252封装,专为需要高电流和低导通损耗的应用而设计。其最大漏极-源极电压(VDS)为40V,栅极-源极电压(VGS)最大为±20V,适合于多种电源管理和开关应用。K4077-ZK-VB 采用先进的Trench技术制造,具备低导通电阻(RDS(ON)),在VGS为4.5V时为14mΩ,在VGS为10V时为12mΩ,能够承载高达55A的漏极电流。此器件具有优良的开关性能和低能耗特性,非常适合用于高效电源转换及电动机控制等领域。
### 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **沟道配置**: 单一N沟道
- **最大漏极-源极电压(VDS)**: 40V
- **最大栅极-源极电压(VGS)**: ±20V
- **开启电压(Vth)**: 2.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 14mΩ @ VGS=4.5V
- 12mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**: 55A
- **技术类型**: Trench技术
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
- **功耗(Pd)**: 62.5W (典型值)
- **最大瞬态栅极电荷(Qg)**: 32nC
- **输入电容(Ciss)**: 900pF
### 应用领域及模块举例
1. **电源管理与转换器**
K4077-ZK-VB 在**DC-DC转换器**和电源管理模块中表现优异,特别适合用于便携式设备、计算机和网络设备的电源管理。这款MOSFET的低导通电阻和高电流能力确保高效能转换,降低能量损耗,提高系统整体效率。
2. **电动机控制**
该MOSFET 适用于各种**电动机控制应用**,如直流电动机和步进电机驱动。凭借其快速开关性能和高电流承载能力,K4077-ZK-VB 可有效提高电机的运行效率,降低功耗,广泛应用于家用电器和工业自动化设备。
3. **汽车电子系统**
K4077-ZK-VB 也被广泛应用于**汽车电子系统**,包括车载电源管理、LED驱动和电动门控制等。其高耐压和低导通损耗特性,使其在恶劣的汽车环境中提供可靠的电源控制和保护功能。
4. **LED驱动与照明系统**
在**LED照明驱动**中,K4077-ZK-VB 能够高效控制LED的开关和调光,确保在长时间运行下不会产生过多的热量,提升照明系统的性能和可靠性。
综上所述,K4077-ZK-VB MOSFET 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、电动机控制、汽车电子及LED驱动等多个领域,是实现高效能电路设计的理想选择。
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