--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 40V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 12mΩ@VGS=10V
- ID 55A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### K4076-ZK-VB 产品简介
K4076-ZK-VB 是一款高效的单极 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为高电压和高电流应用设计。该器件的漏源电压(VDS)达到 40V,适合多种电源管理和开关应用。其栅极源电压(VGS)为 ±20V,确保其在不同工作条件下的稳定开启。K4076 的阈值电压(Vth)为 2.5V,结合其出色的导通电阻(RDS(ON)),分别为 14mΩ @ VGS=4.5V 和 12mΩ @ VGS=10V,使得该器件在功率损耗和热量管理方面具有显著优势。采用先进的 Trench 技术,K4076-VB 具有优异的开关特性,广泛应用于高效率的电子设备中。
### 详细参数说明
- **型号**: K4076-ZK-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单极 N 通道
- **漏源电压 (VDS)**: 40V
- **栅极源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 14mΩ @ VGS = 4.5V
- 12mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 55A
- **技术**: Trench
### 适用领域和模块示例
1. **电源管理系统**:K4076-VB 可用于高效的 DC-DC 转换器,因其低导通电阻能显著提升电源转换效率,减少热量生成。
2. **电动汽车**:在电动汽车的电池管理系统中,K4076 能够有效处理高电流,确保电池充放电的稳定性和高效性。
3. **LED 驱动电路**:该 MOSFET 可用于 LED 照明系统,确保 LED 在运行时的稳定电流和电压,有效提升亮度和延长使用寿命。
4. **工业自动化**:在工业控制系统中,K4076 可以用作高效的开关元件,提供稳定可靠的控制信号,优化设备的运行效率。
5. **消费电子产品**:由于其出色的功率管理能力,K4076-VB 适合应用于智能手机、平板电脑等消费电子设备,为其提供稳定的电源支持。
K4076-ZK-VB 的优越性能确保其在高电压和高电流应用中的可靠性,使其在各类电子设备中发挥重要作用。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12