企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

K4076-ZK-E1-AY-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K4076-ZK-E1-AY-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 12mΩ@VGS=10V
  • ID 55A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### K4076-ZK-E1-AY-VB 产品简介

K4076-ZK-E1-AY-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 通道 MOSFET,专为高效能和低功耗应用而设计。其最大漏极源极电压 (VDS) 为 40V,能够满足多种电源和开关电路的需求。该 MOSFET 的栅极源极电压 (VGS) 最高可达到 ±20V,为电路设计提供了灵活性。阈值电压 (Vth) 为 2.5V,确保设备能够迅速开启和关闭。K4076-ZK-E1-AY-VB 的导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 时为 14mΩ,在 VGS=10V 时进一步降低至 12mΩ,支持最大漏电流 (ID) 为 55A。基于 Trench 技术的设计,使其在高电流条件下表现出色,有效降低了功率损耗,提高了电路的整体效率和可靠性。这款 MOSFET 适用于多种现代电子应用,包括电源管理和电动机驱动等。

### 详细参数说明

| 参数               | 值                     |
|------------------|----------------------|
| 型号               | K4076-ZK-E1-AY-VB     |
| 封装               | TO252                |
| 配置               | 单 N 通道            |
| 最大漏极源极电压 (VDS) | 40V                  |
| 最大栅极源极电压 (VGS) | ±20V                |
| 阈值电压 (Vth)    | 2.5V                 |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 14mΩ @ VGS=4.5V      |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 12mΩ @ VGS=10V       |
| 最大漏电流 (ID)   | 55A                  |
| 技术               | Trench               |

### 应用领域和模块示例

K4076-ZK-E1-AY-VB MOSFET 可广泛应用于以下领域和模块:

1. **电源管理**:由于其低导通电阻和高电流承载能力,K4076-ZK-E1-AY-VB 非常适合在高效 DC-DC 转换器和电源供应系统中使用,有助于提升电源转换效率并减少热量生成。

2. **电动机控制**:在电动机驱动模块中,该 MOSFET 可用于实现快速开关控制,以提高电动机的启停响应时间和调速性能,确保电动机在各种工作条件下的稳定运行。

3. **LED 驱动电路**:K4076-ZK-E1-AY-VB 在 LED 照明系统中也有重要应用。其高效能使其能够为 LED 提供稳定的电流,从而确保光源的亮度均匀性和延长使用寿命。

4. **电池管理系统**:在电池充电器和管理系统中,K4076-ZK-E1-AY-VB 的快速开关特性和高电流能力可以加快充电速度,同时保护电池免受过流和过热的影响。

5. **消费电子产品**:广泛应用于智能手机、平板电脑及其他消费电子设备的电源管理和开关控制模块,K4076-ZK-E1-AY-VB 有助于提高设备的能效并降低功耗。

综上所述,K4076-ZK-E1-AY-VB 凭借其优异的性能和多样化的应用潜力,是高效能电路设计中的理想选择。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    123浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    105浏览量