--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 40V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 12mΩ@VGS=10V
- ID 55A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### K4076-ZK-E1-AY-VB 产品简介
K4076-ZK-E1-AY-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 通道 MOSFET,专为高效能和低功耗应用而设计。其最大漏极源极电压 (VDS) 为 40V,能够满足多种电源和开关电路的需求。该 MOSFET 的栅极源极电压 (VGS) 最高可达到 ±20V,为电路设计提供了灵活性。阈值电压 (Vth) 为 2.5V,确保设备能够迅速开启和关闭。K4076-ZK-E1-AY-VB 的导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 时为 14mΩ,在 VGS=10V 时进一步降低至 12mΩ,支持最大漏电流 (ID) 为 55A。基于 Trench 技术的设计,使其在高电流条件下表现出色,有效降低了功率损耗,提高了电路的整体效率和可靠性。这款 MOSFET 适用于多种现代电子应用,包括电源管理和电动机驱动等。
### 详细参数说明
| 参数 | 值 |
|------------------|----------------------|
| 型号 | K4076-ZK-E1-AY-VB |
| 封装 | TO252 |
| 配置 | 单 N 通道 |
| 最大漏极源极电压 (VDS) | 40V |
| 最大栅极源极电压 (VGS) | ±20V |
| 阈值电压 (Vth) | 2.5V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 14mΩ @ VGS=4.5V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 12mΩ @ VGS=10V |
| 最大漏电流 (ID) | 55A |
| 技术 | Trench |
### 应用领域和模块示例
K4076-ZK-E1-AY-VB MOSFET 可广泛应用于以下领域和模块:
1. **电源管理**:由于其低导通电阻和高电流承载能力,K4076-ZK-E1-AY-VB 非常适合在高效 DC-DC 转换器和电源供应系统中使用,有助于提升电源转换效率并减少热量生成。
2. **电动机控制**:在电动机驱动模块中,该 MOSFET 可用于实现快速开关控制,以提高电动机的启停响应时间和调速性能,确保电动机在各种工作条件下的稳定运行。
3. **LED 驱动电路**:K4076-ZK-E1-AY-VB 在 LED 照明系统中也有重要应用。其高效能使其能够为 LED 提供稳定的电流,从而确保光源的亮度均匀性和延长使用寿命。
4. **电池管理系统**:在电池充电器和管理系统中,K4076-ZK-E1-AY-VB 的快速开关特性和高电流能力可以加快充电速度,同时保护电池免受过流和过热的影响。
5. **消费电子产品**:广泛应用于智能手机、平板电脑及其他消费电子设备的电源管理和开关控制模块,K4076-ZK-E1-AY-VB 有助于提高设备的能效并降低功耗。
综上所述,K4076-ZK-E1-AY-VB 凭借其优异的性能和多样化的应用潜力,是高效能电路设计中的理想选择。
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