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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K4075B-ZK-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K4075B-ZK-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

K4075B-ZK-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET,封装为 TO252,专为高电流和低电压应用设计。这款 MOSFET 可承受高达 40V 的漏极源电压(VDS),并具备高达 85A 的最大漏极电流(ID),适用于需要快速开关和高功率管理的应用。其导通电阻(RDS(ON))在 VGS 为 10V 时为 5mΩ,在 VGS 为 4.5V 时为 6mΩ,表现出卓越的导电性能。K4075B-ZK-VB 采用先进的 Trench 技术,优化了电流传输效率和热性能,确保在各种复杂电路中的可靠性和效率。

### 详细参数说明

- **型号**: K4075B-ZK-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单 N 通道
- **漏极源电压 (VDS)**: 40V
- **栅极源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 
 - 6mΩ @ VGS = 4.5V
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 85A
- **技术**: Trench

### 适用领域和模块

K4075B-ZK-VB MOSFET 在多个领域和模块中具有广泛的应用,尤其在需要高电流和低导通电阻的场景中表现出色,主要适用于以下领域:

1. **电源管理系统**: 由于其超低导通电阻和高电流能力,该 MOSFET 非常适合用于开关电源(如 DC-DC 转换器),可以有效提高能量转换效率,并降低热损耗,确保电源系统的高效运行。

2. **电机驱动**: K4075B-ZK-VB 可用于电机驱动电路,为电动机提供稳定的电流,支持高效的启动和运行,特别适合用于电动工具和电动车辆的电机控制。

3. **LED 驱动电源**: 在 LED 驱动电源设计中,该 MOSFET 的快速开关特性和低导通电阻有助于实现高效的灯光调节和驱动,确保 LED 灯具的高亮度和长寿命。

4. **消费电子产品**: 由于其小型封装和优良的热管理特性,K4075B-ZK-VB 适合用于各种消费电子产品(如手机、平板电脑等)中的电源模块,为用户提供稳定的电源供应。

5. **电池管理系统**: 该 MOSFET 能在电池管理系统中用于充电和放电控制,以确保电池的安全性和高效性,特别适合用于智能手机和电动车辆等需要高效能的应用。

K4075B-ZK-VB MOSFET 通过在这些应用领域的优异表现,为现代电子设备提供了高效、可靠的电源解决方案,满足了对高性能和小型化的需求。

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