--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### K4069-ZK-E2-AY-VB MOSFET 产品简介
K4069-ZK-E2-AY-VB 是一款高效的N沟道MOSFET,采用紧凑型TO252封装,专为高电流处理和低导通损耗应用而设计。其最大漏极-源极电压(VDS)为30V,栅极-源极电压(VGS)最大为±20V,适合各种高效电源管理应用。该器件基于Trench技术制造,导通电阻(RDS(ON))在VGS为4.5V时为9mΩ,在VGS为10V时为7mΩ,能够承载高达70A的漏极电流。这款MOSFET具备出色的开关性能和低功耗特性,适合于各种高频电源和电机控制领域。
### 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **沟道配置**: 单一N沟道
- **最大漏极-源极电压(VDS)**: 30V
- **最大栅极-源极电压(VGS)**: ±20V
- **开启电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**: 70A
- **技术类型**: Trench技术
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
- **功耗(Pd)**: 65W (典型值)
- **最大瞬态栅极电荷(Qg)**: 25nC
- **输入电容(Ciss)**: 1200pF
### 应用领域及模块举例
1. **电源管理模块(DC-DC转换器)**
K4069-ZK-E2-AY-VB 在**DC-DC转换器**中表现出色,特别适合用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的电源管理模块。其低导通电阻和高电流能力确保高效的电能转换,降低系统损耗,提高整体效率。
2. **电动工具与电机驱动**
该MOSFET可广泛用于**电动工具和电机驱动控制**,如无刷电机驱动器。由于其高开关速度和低导通损耗,能够有效提高电机控制系统的效率,降低功耗,适用于电动工具、无人机和电动滑板等领域。
3. **汽车电子**
K4069-ZK-E2-AY-VB 适合于**汽车电子系统**,如车载充电器、车载电源管理系统等。其高电流承载能力和耐压性能使其在汽车环境中提供可靠的电源控制和保护功能。
4. **高频开关电源**
该器件也适用于**高频开关电源**,如工业电源或服务器电源。其快速开关特性和低能耗表现,使其在这些应用中表现出卓越的效率和可靠性。
综上所述,K4069-ZK-E2-AY-VB 凭借其卓越的电气特性,适用于电源管理、电机驱动、汽车电子及高频开关电源等领域,能够有效提升系统的能效和可靠性。
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