--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### K4067-TL-E-VB 产品简介
K4067-TL-E-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 通道 MOSFET,专为高效低压应用设计。其最大漏极源极电压 (VDS) 为 30V,适用于多种低压开关电路和电源管理系统。K4067-TL-E-VB 的栅极源极电压 (VGS) 最大为 ±20V,使其能够在不同驱动电压条件下灵活运行。该 MOSFET 的阈值电压 (Vth) 为 1.7V,确保快速开启和关闭。导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 时为 9mΩ,VGS=10V 时降至 7mΩ,支持高达 70A 的电流。得益于 Trench 技术的应用,K4067-TL-E-VB 在高电流传输时提供低功耗、高效能,适合需要高电流和低功耗的现代电子设备。
### 详细参数说明
| 参数 | 值 |
|------------------|----------------------|
| 型号 | K4067-TL-E-VB |
| 封装 | TO252 |
| 配置 | 单 N 通道 |
| 最大漏极源极电压 (VDS) | 30V |
| 最大栅极源极电压 (VGS) | ±20V |
| 阈值电压 (Vth) | 1.7V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 9mΩ @ VGS=4.5V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 7mΩ @ VGS=10V |
| 最大漏电流 (ID) | 70A |
| 技术 | Trench |
### 应用领域和模块示例
K4067-TL-E-VB MOSFET 在多个领域具有广泛的应用,主要包括:
1. **电源管理模块**:K4067-TL-E-VB 在高效 DC-DC 转换器和稳压电源中有广泛应用。其低导通电阻和高电流能力能够减少功率损耗,提升整体系统效率,适用于电源转换、负载开关等场景。
2. **电动机驱动**:在电动机驱动模块中,该 MOSFET 的高电流处理能力和低功耗设计,使其成为电动机控制、调速和驱动应用中的理想选择,确保电动机运行稳定高效。
3. **LED 照明驱动**:在 LED 驱动电路中,K4067-TL-E-VB 能够提供稳定的电流输出,有效控制功耗,确保 LED 的亮度一致性和电能的高效利用。
4. **充电系统**:其高电流承载能力,使得 K4067-TL-E-VB 适合用于快速充电器、移动电源等电池充电应用,能够加快充电速度并减少充电过程中热量的产生。
5. **消费电子产品**:广泛用于智能手机、平板电脑等消费电子设备的电源管理和开关控制模块,K4067-TL-E-VB 能够确保设备在高功耗应用下运行可靠,延长设备的使用寿命。
总的来说,K4067-TL-E-VB 以其高效的电流传输和低导通电阻,适用于多种高电流、低电压的应用场景,成为众多现代电子设备中必不可少的核心元件。
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