企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

K4067-TL-E-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K4067-TL-E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### K4067-TL-E-VB 产品简介

K4067-TL-E-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 通道 MOSFET,专为高效低压应用设计。其最大漏极源极电压 (VDS) 为 30V,适用于多种低压开关电路和电源管理系统。K4067-TL-E-VB 的栅极源极电压 (VGS) 最大为 ±20V,使其能够在不同驱动电压条件下灵活运行。该 MOSFET 的阈值电压 (Vth) 为 1.7V,确保快速开启和关闭。导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 时为 9mΩ,VGS=10V 时降至 7mΩ,支持高达 70A 的电流。得益于 Trench 技术的应用,K4067-TL-E-VB 在高电流传输时提供低功耗、高效能,适合需要高电流和低功耗的现代电子设备。

### 详细参数说明

| 参数               | 值                     |
|------------------|----------------------|
| 型号               | K4067-TL-E-VB        |
| 封装               | TO252                |
| 配置               | 单 N 通道            |
| 最大漏极源极电压 (VDS) | 30V                  |
| 最大栅极源极电压 (VGS) | ±20V                |
| 阈值电压 (Vth)    | 1.7V                 |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 9mΩ @ VGS=4.5V       |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 7mΩ @ VGS=10V        |
| 最大漏电流 (ID)   | 70A                  |
| 技术               | Trench               |

### 应用领域和模块示例

K4067-TL-E-VB MOSFET 在多个领域具有广泛的应用,主要包括:

1. **电源管理模块**:K4067-TL-E-VB 在高效 DC-DC 转换器和稳压电源中有广泛应用。其低导通电阻和高电流能力能够减少功率损耗,提升整体系统效率,适用于电源转换、负载开关等场景。

2. **电动机驱动**:在电动机驱动模块中,该 MOSFET 的高电流处理能力和低功耗设计,使其成为电动机控制、调速和驱动应用中的理想选择,确保电动机运行稳定高效。

3. **LED 照明驱动**:在 LED 驱动电路中,K4067-TL-E-VB 能够提供稳定的电流输出,有效控制功耗,确保 LED 的亮度一致性和电能的高效利用。

4. **充电系统**:其高电流承载能力,使得 K4067-TL-E-VB 适合用于快速充电器、移动电源等电池充电应用,能够加快充电速度并减少充电过程中热量的产生。

5. **消费电子产品**:广泛用于智能手机、平板电脑等消费电子设备的电源管理和开关控制模块,K4067-TL-E-VB 能够确保设备在高功耗应用下运行可靠,延长设备的使用寿命。

总的来说,K4067-TL-E-VB 以其高效的电流传输和低导通电阻,适用于多种高电流、低电压的应用场景,成为众多现代电子设备中必不可少的核心元件。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    156浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    140浏览量