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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K4057-ZK-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K4057-ZK-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### K4057-ZK-VB 产品简介

K4057-ZK-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 通道 MOSFET,专为高效率和高电流应用设计。其最大漏极源极电压 (VDS) 为 30V,适合多种低压电源和开关电路。该 MOSFET 的栅极源极电压 (VGS) 最高可达 ±20V,能够提供灵活的驱动选项。K4057-ZK-VB 的阈值电压 (Vth) 为 1.7V,具有出色的导通性能,导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 时为 9mΩ,在 VGS=10V 时进一步降低至 7mΩ,额定电流可达 70A。这种低导通电阻的设计使得 K4057-ZK-VB 在高电流条件下能够显著降低功耗和热量生成,从而提升系统的整体效率和可靠性。采用 Trench 技术,K4057-ZK-VB 提供了快速的开关特性和良好的电流控制能力,适合各种现代电子设备和电源管理系统。

### 详细参数说明

| 参数               | 值                     |
|------------------|----------------------|
| 型号               | K4057-ZK-VB          |
| 封装               | TO252                |
| 配置               | 单 N 通道            |
| 最大漏极源极电压 (VDS) | 30V                  |
| 最大栅极源极电压 (VGS) | ±20V                |
| 阈值电压 (Vth)    | 1.7V                 |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 9mΩ @ VGS=4.5V       |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 7mΩ @ VGS=10V        |
| 最大漏电流 (ID)   | 70A                  |
| 技术               | Trench               |

### 应用领域和模块示例

K4057-ZK-VB MOSFET 可广泛应用于以下领域和模块:

1. **电源管理**:K4057-ZK-VB 的低导通电阻和高电流能力使其成为高效电源管理系统的理想选择,能够优化电源转换和降低能量损耗。

2. **电动机驱动**:在电动机控制模块中,该 MOSFET 可用于实现高效开关控制,适合电动机的启停和调速,确保系统的稳定性和可靠性。

3. **LED 照明**:K4057-ZK-VB 在 LED 驱动电路中表现出色,能够提供稳定的电流输出,确保光源亮度的稳定和均匀性。

4. **充电器和适配器**:在各种充电器和适配器中,K4057-ZK-VB 可用于控制电流的流动,以实现快速而高效的充电过程。

5. **消费电子**:该 MOSFET 适用于各种消费电子产品,如智能手机、平板电脑及其他移动设备的电源管理,为电源开关和控制提供可靠支持。

总之,K4057-ZK-VB 以其卓越的性能和广泛的应用潜力,成为高电流低电压应用中的理想选择。

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