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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K4057-ZK-E2-AY-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K4057-ZK-E2-AY-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### K4057-ZK-E2-AY-VB 产品简介

K4057-ZK-E2-AY-VB 是一款高效能的 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为低电压和高电流应用设计。其漏极到源极电压(VDS)为 30V,适合于各种低电压开关和电源管理电路。该 MOSFET 的栅极到源极电压(VGS)为 ±20V,确保了在多种工作条件下的稳定性和可靠性。K4057-ZK-E2-AY-VB 的阈值电压(Vth)为 1.7V,使其能够在较低的栅电压下快速导通,适合高效的开关应用。同时,在 VGS=4.5V 和 VGS=10V 下,导通电阻(RDS(ON))分别为 9mΩ 和 7mΩ,显示出极低的导通损耗,使其在高电流应用中表现出色,额定电流(ID)高达 70A。其采用的沟槽技术(Trench)使得 MOSFET 在效率和散热方面表现优异,非常适合高性能电源和电动机控制领域。

### 详细参数说明

- **型号**: K4057-ZK-E2-AY-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单 N 通道
- **漏极到源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅极到源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **额定电流 (ID)**: 70A
- **技术**: 沟槽技术(Trench)

### 适用领域和模块

K4057-ZK-E2-AY-VB MOSFET 在多个领域和模块中展现出色的应用潜力,具体包括:

1. **电源管理**: 由于其低导通电阻和高额定电流,K4057-ZK-E2-AY-VB 非常适合用于开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器,以实现高效的电能转换和管理,降低能耗。

2. **电动机驱动**: 在电动机控制应用中,该 MOSFET 可以作为高效的开关元件,确保对电动机的快速响应和精准控制,从而提高整体系统性能。

3. **电池管理系统**: K4057-ZK-E2-AY-VB 适合用于电池管理系统(BMS),在充电和放电过程中提供高效的开关控制,帮助提高充电效率和延长电池寿命。

4. **LED 驱动**: 在 LED 照明系统中,该 MOSFET 能够提供稳定的电流控制,确保 LED 的均匀亮度和长久使用寿命,特别适合高功率 LED 驱动。

5. **功率模块**: K4057-ZK-E2-AY-VB 的小型 TO252 封装和高性能特性使其非常适合用于功率模块中,提供可靠的电源输出并优化系统空间。

通过这些应用示例,K4057-ZK-E2-AY-VB 显示出其在低电压、高电流环境中的广泛应用潜力和卓越性能表现。

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