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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K4033-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K4033-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、K4033-VB 产品简介

K4033-VB 是一款高效能的单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为低压高电流应用设计。该器件的漏源电压 (VDS) 达到 60V,支持 ±20V 的栅极电压 (VGS),确保在各种工作环境下的稳定性。K4033-VB 的门限电压 (Vth) 为 1.7V,使其具有出色的开关性能和快速响应能力。在导通状态下,漏源导通电阻 (RDS(ON)) 在栅极电压为 4.5V 时为 85mΩ,而在 10V 时更低,仅为 73mΩ,极大地降低了功耗并提高了效率。其最大漏极电流 (ID) 可达 18A,适合于广泛的应用领域,如开关电源、电机驱动和电源管理系统。

### 二、K4033-VB 详细参数说明

- **型号**:K4033-VB
- **封装类型**:TO252
- **配置**:单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**:60V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **漏源导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 85mΩ @ VGS = 4.5V
 - 73mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**:18A
- **技术类型**:沟槽技术(Trench)
- **耗散功率**:待具体应用情况下评估
- **开关速度**:受栅极驱动电路和工作频率影响
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C(结温)

### 三、K4033-VB 应用领域与模块举例

1. **开关电源**  
  K4033-VB 非常适合用于开关电源 (SMPS) 模块,特别是在低压高电流的应用中。它的低导通电阻和高电流处理能力可以显著提高电源效率,降低能量损耗,广泛应用于 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器中。

2. **电机控制**  
  该 MOSFET 适合用于电机驱动系统,包括无刷直流电机和步进电机。其高电流能力和快速开关特性使其能够有效控制电机的启动、运行和停止,提供平稳的电机控制体验。

3. **电源管理和负载开关**  
  K4033-VB 在电源管理系统中可作为负载开关,以高效地控制电源的开启和关闭。它的低导通电阻和快速响应能力使其成为电池供电设备、智能家居产品和移动电子设备的理想选择。

4. **消费电子**  
  该器件在消费电子产品中也得到广泛应用,如便携式充电器、智能手机、平板电脑等,能够提供高效的功率管理和可靠的开关性能。

综上所述,K4033-VB 是一款性能优越的 MOSFET,适用于多种低压高电流的应用场景,能够有效提升系统的整体效率和可靠性。

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