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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K4018-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K4018-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 55mΩ@VGS=10V
  • ID 25A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### K4018-VB 产品简介

K4018-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 通道 MOSFET,专为中低压应用而设计。该 MOSFET 的最大漏极源极电压 (VDS) 为 100V,使其适合用于多种电源和开关电路。K4018-VB 的栅极源极电压 (VGS) 最大可达 ±20V,具备灵活的驱动选项。其阈值电压 (Vth) 为 1.8V,在开启时提供优良的导通性能。K4018-VB 的导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 时为 57mΩ,而在 VGS=10V 时降至 55mΩ,额定电流可达 25A。这种设计使得 K4018-VB 在高电流条件下依然能够保持较低的功耗和热量生成,确保系统高效稳定运行。采用 Trench 技术,该 MOSFET 提供了快速的开关特性和高效的导通能力,广泛适用于各种现代电子设备。

### 详细参数说明

| 参数               | 值                     |
|------------------|----------------------|
| 型号               | K4018-VB             |
| 封装               | TO252                |
| 配置               | 单 N 通道            |
| 最大漏极源极电压 (VDS) | 100V                 |
| 最大栅极源极电压 (VGS) | ±20V                |
| 阈值电压 (Vth)    | 1.8V                 |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 57mΩ @ VGS=4.5V      |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 55mΩ @ VGS=10V       |
| 最大漏电流 (ID)   | 25A                  |
| 技术               | Trench               |

### 应用领域和模块示例

K4018-VB MOSFET 可广泛应用于以下领域和模块:

1. **开关电源**:由于其高效率和良好的热性能,K4018-VB 非常适合用于开关电源 (SMPS),可优化电压转换过程,提高系统整体效率。

2. **电机控制**:在电机驱动模块中,该 MOSFET 可用于实现高效开关,适合电动机的启停和调速,确保可靠性和稳定性。

3. **LED 驱动**:K4018-VB 在 LED 照明应用中表现出色,能够提供稳定的电流输出,确保灯具的亮度和色温的一致性。

4. **电池管理系统**:在电池充放电控制中,K4018-VB 可用于安全地监控和控制电流流动,优化充电过程,延长电池寿命。

5. **消费电子**:该 MOSFET 适用于各种消费电子产品,如计算机电源、音响设备和家用电器,为电源管理和开关控制提供可靠支持。

综上所述,K4018-VB 以其卓越的性能和广泛的应用潜力,成为高电流中低压应用中的理想选择。

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