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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K3993-ZK-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K3993-ZK-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### K3993-ZK-VB 产品简介

K3993-ZK-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 通道 MOSFET,专为高效能和低电阻应用设计。其最大漏极源极电压 (VDS) 为 30V,适合多种低压电源和驱动电路。该 MOSFET 的栅极源极电压 (VGS) 最高可达 ±20V,提供了灵活的驱动选项。K3993-ZK-VB 的阈值电压 (Vth) 为 1.7V,在开启时表现出极佳的导通性能,具有超低的导通电阻 (RDS(ON)),在 VGS=4.5V 时为 3mΩ,在 VGS=10V 时为 2mΩ,额定电流可达 100A。这使得 K3993-ZK-VB 特别适合高电流应用,以降低功耗和热量生成。采用 Trench 技术,K3993-ZK-VB 在提高开关速度和导通效率方面表现出色,适合各种现代电子设备。

### 详细参数说明

| 参数               | 值                     |
|------------------|----------------------|
| 型号               | K3993-ZK-VB          |
| 封装               | TO252                |
| 配置               | 单 N 通道            |
| 最大漏极源极电压 (VDS) | 30V                  |
| 最大栅极源极电压 (VGS) | ±20V                |
| 阈值电压 (Vth)    | 1.7V                 |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 3mΩ @ VGS=4.5V      |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 2mΩ @ VGS=10V       |
| 最大漏电流 (ID)   | 100A                 |
| 技术               | Trench               |

### 应用领域和模块示例

K3993-ZK-VB MOSFET 可广泛应用于以下领域和模块:

1. **电源管理**:由于其低导通电阻和高电流能力,K3993-ZK-VB 非常适合用于高效电源管理系统,能够优化电源效率,降低能量损耗。

2. **电动机驱动**:在电动机控制模块中,该 MOSFET 可用于高电流电动机的开关控制,适应各种负载情况,确保系统的可靠性和稳定性。

3. **LED 照明**:在 LED 照明驱动电路中,K3993-ZK-VB 能够提供高效的电流控制,以确保光源的亮度和稳定性,特别是在调光应用中。

4. **开关电源**:该 MOSFET 可用于开关电源 (SMPS) 中的高效开关,实现电压转换和功率调节,提升系统的整体性能。

5. **电池管理系统**:在电池充放电过程中,K3993-ZK-VB 可用于监控和控制电流流动,确保电池的安全性和寿命。

综上所述,K3993-ZK-VB 以其卓越的性能和多功能性,成为高电流低电压应用中的理想选择。

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