--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
- ID 100A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### K3993-ZK-E2-AZ-VB 产品简介
K3993-ZK-E2-AZ-VB 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为低电压和高电流应用而设计。其 VDS(漏极到源极电压)为 30V,适合于需要低电压控制的电路。该 MOSFET 的 VGS(栅极到源极电压)为 ±20V,具备较高的栅极驱动能力,确保了在各种负载条件下的稳定性和可靠性。K3993-ZK-E2-AZ-VB 的阈值电压(Vth)为 1.7V,确保其能够在低电压下快速导通,适合高效能的开关应用。同时,其在 VGS=4.5V 和 VGS=10V 时的导通电阻分别为 3mΩ 和 2mΩ,显示出极低的导通损耗,使其在高电流应用中表现出色,额定电流高达 100A。其 Trench 技术使得 MOSFET 在效率和散热方面表现优异,特别适合在高效能电源和电动机控制领域中使用。
### 详细参数说明
- **型号**: K3993-ZK-E2-AZ-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单 N 通道
- **漏极到源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅极到源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **额定电流 (ID)**: 100A
- **技术**: 沟槽技术(Trench)
### 适用领域和模块
K3993-ZK-E2-AZ-VB MOSFET 在多个领域和模块中表现出色,具体包括:
1. **电源管理**: 由于其低导通电阻和高额定电流,K3993-ZK-E2-AZ-VB 可以用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,提供高效的电能转换和管理。
2. **电动机驱动**: 在电动机控制应用中,该 MOSFET 可以作为高效开关元件,确保电动机的快速启停和精准控制,从而提高系统的整体性能和响应速度。
3. **电池管理系统**: K3993-ZK-E2-AZ-VB 适用于电池管理系统(BMS),能够在充电和放电过程中快速切换,有效地延长电池的使用寿命并提升充电效率。
4. **LED 驱动**: 在 LED 照明应用中,K3993-ZK-E2-AZ-VB 能够提供稳定的电流控制,确保 LED 的亮度均匀和寿命延长,特别适合高功率 LED 驱动。
5. **电源模块**: 由于其小巧的 TO252 封装和高性能特性,K3993-ZK-E2-AZ-VB 非常适合用于电源模块中,提供可靠的电源输出并优化系统空间。
通过这些应用示例,K3993-ZK-E2-AZ-VB 显示出其在低电压、高电流环境中的广泛应用潜力和出色的性能表现。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12