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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K3992-ZK-E2-AY-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K3992-ZK-E2-AY-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、K3992-ZK-E2-AY-VB 产品简介

K3992-ZK-E2-AY-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET,封装为 TO252,专为低压高电流应用而设计。该器件具有高达 30V 的漏源电压 (VDS),支持 ±20V 的栅极电压 (VGS)。其门限电压 (Vth) 为 1.7V,确保快速开关性能和高效率。K3992-ZK-E2-AY-VB 的漏源导通电阻 (RDS(ON)) 在栅极电压为 4.5V 时为 3mΩ,而在 10V 时更低,仅为 2mΩ,极大地减少了在导通状态下的功耗。其最大漏极电流 (ID) 可达 100A,适合多种高功率应用,尤其在开关电源、汽车电子及电机控制等领域具有广泛的应用前景。

### 二、K3992-ZK-E2-AY-VB 详细参数说明

- **型号**:K3992-ZK-E2-AY-VB
- **封装类型**:TO252
- **配置**:单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**:30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **漏源导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 3mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**:100A
- **技术类型**:Trench(沟槽技术)
- **耗散功率**:待具体应用情况下评估
- **开关速度**:受栅极驱动电路和工作频率影响
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C(结温)

### 三、K3992-ZK-E2-AY-VB 应用领域与模块举例

1. **开关电源 (SMPS)**  
  K3992-ZK-E2-AY-VB 在开关电源设计中表现出色,因其低导通电阻和高电流处理能力。它可用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等模块,以提高系统效率并降低能耗。

2. **汽车电子**  
  该 MOSFET 的 30V 漏源电压使其适合于汽车电子应用,如电动助力转向、车载电源管理和电池监控系统。其高电流能力 (100A) 能够满足汽车内部各种电力需求。

3. **电机控制**  
  K3992-ZK-E2-AY-VB 也非常适合用于电机驱动系统,特别是在无刷直流电机和步进电机控制中。其低导通电阻和快速开关特性可确保电机高效运转,降低发热和损耗。

4. **电源管理和负载开关**  
  在电源管理系统中,该器件可以用作负载开关,以实现高效的电源控制和切换。它的高电流能力和低功耗特性使其成为电池供电设备的理想选择,如智能家居设备和移动电子产品。

综上所述,K3992-ZK-E2-AY-VB 是一款高效的 MOSFET,适用于多种低压高电流的电力电子应用,能够显著提升系统的整体性能和效率。

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