--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
- ID 15A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、K3984-ZK-E2-AZ-VB 产品简介
K3984-ZK-E2-AZ-VB 是一款高性能的 N-沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,设计用于高压和高效能的应用。该器件的漏源电压(VDS)可达 100V,栅源电压(VGS)范围为 ±20V,确保在各种控制电压下的稳定工作。阈值电压(Vth)为 1.8V,使其适用于低电压驱动。该 MOSFET 的导通电阻(RDS(ON))为 114mΩ(在 VGS=10V 时),具备优异的导通性能,最大漏极电流(ID)为 15A,适合多种高功率应用。K3984-ZK-E2-AZ-VB 采用 Trench 技术,以优化导通电阻和开关特性,满足现代电子设备的高效能要求。
### 二、K3984-ZK-E2-AZ-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **通道配置**: 单通道 N-沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 15A
- **技术**: Trench
### 三、应用领域和模块示例
1. **开关电源**: K3984-ZK-E2-AZ-VB 适用于开关模式电源 (SMPS),能够有效地处理高电压和高电流,提供高效的电源转换,尤其在电源适配器和电源管理模块中表现优异。
2. **电机驱动**: 在电机控制和驱动应用中,该 MOSFET 可作为高功率开关,适合于无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机的驱动电路,确保高效的能量转换和快速的开关响应。
3. **LED 驱动电路**: 该器件也可用于 LED 驱动电路,在高压和高电流环境中稳定工作,提供有效的电流控制和调光功能,适用于大功率照明解决方案。
4. **电力转换和分配**: K3984-ZK-E2-AZ-VB 可用于高电压电力转换和分配系统,作为开关元件处理高压负载,提高系统效率,广泛应用于电力变换器和逆变器中。
5. **消费电子设备**: 在消费电子产品中,该 MOSFET 可用作电源管理和电池驱动应用,提供高效的能量管理和稳定的性能,适合于智能手机、平板电脑和其他便携式设备。
K3984-ZK-E2-AZ-VB 的高电压和高电流处理能力,使其在多个领域和模块中具有广泛的应用前景,为现代电子产品提供了可靠的开关解决方案。
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