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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K3979-TL-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K3979-TL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、K3979-TL-VB 产品简介

K3979-TL-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 沟道 MOSFET,具备出色的电气性能,适用于高压和高电流应用。该器件具有 200V 的漏源电压 (VDS),栅极电压耐受值为 ±20V,门限电压 (Vth) 为 3V,漏源导通电阻 (RDS(ON)) 在栅极电压为 10V 时仅为 245mΩ。该 MOSFET 采用了先进的 Trench 技术,实现了较低的导通电阻和较高的电流处理能力,最大持续漏极电流 (ID) 为 10A。这使得 K3979-TL-VB 成为高效电源管理、开关模式电源以及电动工具等领域的理想选择。

### 二、K3979-TL-VB 详细参数说明

- **型号**:K3979-TL-VB
- **封装类型**:TO252
- **配置**:单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**:200V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**:3V
- **漏源导通电阻 (RDS(ON))**:245mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**:10A
- **技术类型**:Trench(沟槽技术)
- **耗散功率**:待具体应用情况下评估
- **开关速度**:取决于栅极驱动电路和工作频率
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C(结温)

### 三、K3979-TL-VB 应用领域与模块举例

1. **开关模式电源 (SMPS)**  
  K3979-TL-VB 非常适合用于开关模式电源 (SMPS),其中高效率和快速开关性能是关键。该器件的 200V 漏源电压和低导通电阻确保在高压应用中提供可靠的性能,适用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器等模块。

2. **电动工具与电机驱动**  
  由于其高电流处理能力 (10A) 和 Trench 技术的优越效率,K3979-TL-VB 在电动工具、电动马达和其他需要稳定功率传输的电机驱动应用中表现出色。

3. **工业电源控制**  
  在工业电源模块中,K3979-TL-VB 的 200V 耐压性能使其适合工业电力设备的控制应用,特别是需要高功率切换和耐高压的场合,如工业变频器和无刷电机驱动系统。

4. **负载开关与电池管理**  
  K3979-TL-VB 的高电流能力和低导通电阻还使其在电池管理系统 (BMS) 和负载开关应用中非常适用,确保高效的电源切换和能源管理。

综上所述,K3979-TL-VB 是一款高效且可靠的 MOSFET,适用于多种高压和高电流的电力电子应用场景。

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