--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 4300mΩ@VGS=10V
- ID 2A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
K375-VB是一款高电压、低功耗的单N通道MOSFET,采用TO252封装,专为高压应用设计。凭借其650V的漏源电压能力和合理的导通电阻,K375-VB能够在多种电源管理和控制系统中提供可靠的性能。该MOSFET适合用于需要低开关损耗和高效率的应用场合。
### 详细参数说明
- **封装**:TO252
- **配置**:单N通道
- **漏源电压 (VDS)**:650V
- **栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3440mΩ @ VGS=4.5V
- 4300mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**:2A
- **技术**:平面技术(Plannar)
### 应用领域
K375-VB MOSFET广泛应用于多种电力电子和控制系统,特别是在高电压和低电流的场景中表现突出。具体应用包括:
1. **电源转换器**:用于高压DC-DC转换器,确保高效的能量转换,减少能量损耗。
2. **灯具驱动**:在LED驱动电路中,能够提供稳定的电流和高效的功率管理,确保照明效果和产品寿命。
3. **逆变器系统**:在太阳能逆变器和电机驱动应用中,K375-VB能够实现高效的电源管理,满足严格的电压和电流要求。
4. **工业自动化**:在需要高电压和可靠性的工业控制系统中,K375-VB可以稳定工作,支持各种控制和驱动模块的高效运行。
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