### 产品简介
K375-S-VB是一款高耐压N通道MOSFET，采用TO252封装，专为高压应用设计，具有650V的漏源电压（VDS）。其平面型结构（Plannar技术）确保了器件的高稳定性和可靠性，使其在电源管理和电机控制等领域具有优良的表现。K375-S-VB适用于各种需要高耐压的开关应用，如工业设备、汽车电子及高压电源转换器。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N通道
- **VDS**: 650V
- **VGS**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **RDS(ON)**:
- 3440mΩ（VGS=4.5V）
- 4300mΩ（VGS=10V）
- **漏极电流 (ID)**: 2A
- **技术**: Plannar
### 应用领域与模块
K375-S-VB MOSFET广泛应用于电源管理、LED驱动、工业控制系统和电机驱动模块。在电源转换器中，它能够有效处理高电压和高电流，从而提升转换效率；在LED驱动电路中，它提供稳定的电流控制，确保LED的稳定运行。此外，由于其良好的开关特性，该MOSFET还可用于各种高压开关设备，如继电器和开关电源模块，为设计工程师提供灵活的解决方案。
